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AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - モバイルLPDDR2 |
AS4C32M16D2A-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |
11AA010T-I/TT IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE SOT23-3 マイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP アナログデバイス株式会社/マキシム統合
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | NVSRAM |
| テクノロジー: | NVSRAM （不揮発性SRAM） |
W25Q16DWUUIG IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON ウィンボンドエレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積（MLC） |
MTFC4GLGDM-AIT Z IC FLASH 32GBIT MMC 153TFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
MT28F128J3FS-12 ET TR IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |
MX30LF1G18AC-XKI IC Flash 1GBIT PARALLEL 63VFBGA マクロニックス
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |