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CYD36S18V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGAサイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,同期 |
R1EX24002ASAS0I#S0 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR |
IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | PSRAM |
| テクノロジー: | PSRAM （擬似SRAM） |
CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - 同期,QDR IV |
7005L20JGI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |
AT28C010-12EM/883 IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32LCCマイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
AS4C512M8D3-12BAN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR3 |
THGBMHG6C1LBAU6 IC FLASH 8GBIT EMMC 153WFBGA キオキシア・アメリカ,インク
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積（MLC） |
IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - シンクロン,DR II |