中国 STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP サイプレス半導体株式会社

STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP サイプレス半導体株式会社

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: NVSRAM
テクノロジー: NVSRAM (不揮発性SRAM)
中国 W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II ウィンボンド・エレクトロニクス

W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II ウィンボンド・エレクトロニクス

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM - DDR
中国 S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA サイプレス半導体株式会社

S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA サイプレス半導体株式会社

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM - DDR4
中国 S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 マイクロチップ技術

AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 マイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMicroelectronics 電子機器について

M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMicroelectronics 電子機器について

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EPROM
テクノロジー: EPROM - UV
中国 70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM - デュアルポート,非同期
中国 IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI,インテグレテッドシリコンソリューション

IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI,インテグレテッドシリコンソリューション

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: DRAM - EDO
中国 IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM - DDR3L
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