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IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI,インテグレテッドシリコンソリューション

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x商品の詳細
記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
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テクノロジー | DRAM - EDO | 記憶容量 | 16Mbit |
記憶構成 | 1M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
アクセス時間 | 25 ns | 電圧 - 供給 | 3V~3.6V |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 42-BSOJ (0.400", 10.16mm 幅) | 供給者のデバイスパッケージ | 42-SOJ |
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Part Number | Description | |
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IS41LV16100B-50KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-50KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41C16100C-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
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IS41LV16100D-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
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IS41LV16105D-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105D-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ |
製品の説明
製品詳細
記述
ISSIIS41LV16100Bは1つで048,576 x 16-bit 高性能 CMOS ダイナミックランダムアクセス メモリー.これらのデバイスは,EDO ページモードと呼ばれる加速サイクルアクセスを提供します.024 単行中のランダムなアクセスで,アクセスサイクルの時間は16ビット単語で20nsまで短く.
特徴
• TTL対応の入力と出力;三段階のI/O• リフレッシュ インターバル:
自動更新モード: 1,024 サイクル / 16 ms
RASのみ,RAS (CBR) の前のCAS,そして隠された
• JEDEC 標準のピナウット
単一の電源: 3.3V ± 10%
2つのCAS経由でバイト書き込みとバイト読み込み操作
産業用温度帯: -40°C から +85°C
• 鉛 の ない 製品
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | ISSI |
製品カテゴリー | ICチップ |
シリーズ | - |
パッケージ | トューブ |
パッケージケース | 42-BSOJ (0.400",10.16mm) |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 3V~3.6V |
供給者 デバイス パッケージ | 42-SOJ |
記憶容量 | 16M (1M x 16) |
メモリタイプ | DRAM - EDO |
スピード | 50ns |
フォーマットメモリ | RAM |
記述
DRAM - EDO メモリ IC 16Mb (1M x 16) パラレル 25ns 42-SOJ
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