IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI,インテグレテッドシリコンソリューション

ブランド名 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
モデル番号 IS41LV16100B-50KL
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価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー DRAM - EDO 記憶容量 16Mbit
記憶構成 1M x 16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい -
アクセス時間 25 ns 電圧 - 供給 3V~3.6V
動作温度 0°C~70°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 42-BSOJ (0.400", 10.16mm 幅) 供給者のデバイスパッケージ 42-SOJ
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Part Number Description
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16100C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16100C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16105C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16105C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100D-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100D-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105D-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105D-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

記述

ISSIIS41LV16100Bは1つで048,576 x 16-bit 高性能 CMOS ダイナミックランダムアクセス メモリー.これらのデバイスは,EDO ページモードと呼ばれる加速サイクルアクセスを提供します.024 単行中のランダムなアクセスで,アクセスサイクルの時間は16ビット単語で20nsまで短く.

特徴

• TTL対応の入力と出力;三段階のI/O
• リフレッシュ インターバル:
自動更新モード: 1,024 サイクル / 16 ms
RASのみ,RAS (CBR) の前のCAS,そして隠された
• JEDEC 標準のピナウット
単一の電源: 3.3V ± 10%
2つのCAS経由でバイト書き込みとバイト読み込み操作
産業用温度帯: -40°C から +85°C
• 鉛 の ない 製品

仕様

属性属性値
製造者ISSI
製品カテゴリーICチップ
シリーズ-
パッケージトューブ
パッケージケース42-BSOJ (0.400",10.16mm)
動作温度0°C~70°C (TA)
インターフェースパラレル
電圧供給3V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ42-SOJ
記憶容量16M (1M x 16)
メモリタイプDRAM - EDO
スピード50ns
フォーマットメモリRAM

記述

DRAM - EDO メモリ IC 16Mb (1M x 16) パラレル 25ns 42-SOJ