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DS3065W-100# IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA アナログデバイス株式会社/マキシム統合
| ブランド名 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| モデル番号 | DS3065W-100# |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | NVSRAM （不揮発性SRAM） | 記憶容量 | 8Mbit |
| 記憶構成 | 1M x 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 100ns |
| アクセス時間 | 100ns | 電圧 - 供給 | 3V~3.6V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 256-BGA | 供給者のデバイスパッケージ | 256-BGA (27x27) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS3065W-100# | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS3070W-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2030AB-100# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS2030AB-70# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS2030L-100# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS2030W-100# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS2030Y-100# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS2030Y-70# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS2045AB-100# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2045AB-70# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2045L-100# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2045W-100# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2045Y-100# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2045Y-70# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2050W-100# | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2065W-100# | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2070W-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS3030W-100# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS3045W-100# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS3050W-100# | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 256BGA |
製品の説明
製品詳細
30年以上のセラミックとフェライト技術の経験に基づいて,Murata Electronicsの全範囲の鉛付きEMIフィルターは,今日の電子産業の要件を満たすために設計されています.
Murataのリード装置はフェライトビーズインデューサー,フィードスルーコンデンサ,3つのターミナルコンデンサ,バリスト/コンデンサ,コモンモードストロッカー,ブロックフィルターで構成されている.
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | マキシム 統合 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレー |
| パッケージケース | 256-BGA |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 3V~3.6V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 256-BGA (27x27) |
| 記憶容量 | 8M (1M x 8) |
| メモリタイプ | NVSRAM (非揮発性 SRAM) |
| スピード | 100ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリIC 8Mb (1M x 8) パラレル100ns 256-BGA (27x27)
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