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表面の台紙のフラッシュ・メモリの破片64Kbit、CAT28C64BG-12T抜け目がないIC EEPROM
| ブランド名 | onsemi |
|---|---|
| モデル番号 | CAT28C64BG-12T |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | 帯電防止袋及び板紙箱 |
| 受渡し時間 | 3-5の仕事日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | 在庫 |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | EEPROM |
|---|---|---|---|
| 技術 | EEPROM | 記憶容量 | 鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆 |
| 記憶構成 | 8K X 8 | 記憶インターフェイス | 平行 |
| クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 5ms |
| アクセス時間 | 120 ns | 電圧-供給 | 4.5V | 5.5V |
| 実用温度 | 0°C | 70°C （TA） | タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | 32-LCC （J鉛） | 製造者装置パッケージ | 32-PLCC （11.43x13.97） |
| ハイライト | 表面の台紙のフラッシュ・メモリの破片,フラッシュ・メモリの破片64Kbit,CAT28C64BG-12TのフラッシュIC EEPROM |
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製品の説明
CAT28C64BG-12T IC EEPROM 64KBITの平行32PLCCのonsemi
プロダクト細部
記述
CAT28C64Bは速い、低い電力、8K X 8ビットとして組織される5VだけCMOSの平行EEPROMである。それは内部システム プログラミングのために簡単なインターフェイスを要求する。自己時限オン破片住所およびデータ掛け金はオート クリアの周期を書き、VCCアップ/ダウン力は付加的なタイミングおよび保護ハードウェアを除去するために保護を書く。データ投票およびトグル状態ビットは開始に信号を送り、自己時限の終わりは周期を書く。さらに、CAT28C64Bはハードウェアを特色にし、ソフトウェアは保護を書く。CAT28C64Bは触媒の高度CMOSの浮遊ゲートの技術を使用して製造される。100,000のプログラム/消去周期に耐えることを設計し、100年のデータ保持がある。装置はJEDECで利用できる承認した28ピンすくい、TSOP、SOICを、または、32ピンPLCCパッケージ。
特徴
■速い読み取りアクセスの時間:– 90/120/150ns
■低い電力CMOSの消滅:
–能動態:25 mA最高。
–スタンバイ:最高100 µA。
■簡単操作を書きなさい:
–オン破片住所およびデータ掛け金
–自己時限オート クリアの周期を書きなさい
■速くサイクル時間を書きなさい:
–最高5ms。
■CMOSおよびTTL多用性がある入力/出力
■ハードウェアおよびソフトウェアは保護を書く
■商業、産業および自動車
温度較差
■自動ページは操作を書く:
– 5msの1から32バイト
–ページの負荷タイマー
■終わりの検出を書くため:
–トグル ビット
–データ投票
■100,000のプログラム/消去周期
■100年データ保持
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | onsemi |
| 製品カテゴリ | 記憶IC |
| シリーズ | - |
| 包装 | テープ及び巻き枠（TR） |
| パッケージ場合 | 32-LCC （J鉛） |
| 作動温度 | 0°C | 70°C （TA） |
| インターフェイス | 平行 |
| 電圧供給 | 4.5 V | 5.5ボルト |
| 製造者装置パッケージ | 32-PLCC （11.43x13.97） |
| 記憶容量 | 64K （8K X 8） |
| 記憶タイプ | EEPROM |
| 速度 | 120ns |
| フォーマット記憶 | 平行EEPROMs - |
記述
EEPROMの記憶IC 64Kb （8K X 8）平行120ns 32-PLCC （11.43x13.97）
EEPROMの平行64Kビット8K X 8 5V 32 Pin PLCC T/R
推薦されたプロダクト
