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AT28HC64B-12JUのフラッシュ・メモリIC 64Kbit非揮発32PLCCマイクロチップ・テクノロジー

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x商品の詳細
記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | EEPROM |
---|---|---|---|
技術 | EEPROM | 記憶容量 | 鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆 |
記憶構成 | 8K X 8 | 記憶インターフェイス | 平行 |
クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 10ms |
アクセス時間 | 120 ns | 電圧-供給 | 4.5V | 5.5V |
実用温度 | -40°C | 85°C (TC) | タイプの取付け | 表面の台紙 |
パッケージ/場合 | 32-LCC (J鉛) | 製造者装置パッケージ | 32-PLCC (13.97x11.43) |
ハイライト | フラッシュ・メモリIC 64Kbit,揮発フラッシュ・メモリIC非,AT28HC64B-12JU |
製品の説明
AT28HC64B-12JU IC EEPROM 64KBITの平行32PLCCマイクロチップ・テクノロジー
プロダクト細部
記述
AT28HC64Bは高性能電気消去可能な、プログラム可能読み取り専用メモリ(EEPROM)である。記憶のその64Kは8ビットにつき8,192ワードとして組織される。Atmelの高度の不揮発性CMOSの技術と製造されて、装置はちょうど220 MWの電力損失との55 nsにアクセス時間を提供する。装置が選択解除されるとき、CMOSのスタンバイの流れは100 µAよりより少しである。
特徴
•速い読み取りアクセスタイムの70 ns•自動ページは操作を書く
– 64バイトのための内部アドレスそしてデータ掛け金
•速くサイクル時間を書きなさい
–ページはサイクル時間を書く:10氏最高(標準) 2氏最高(選択– Ref. AT28HC64BF Datasheet)
– 64バイトのページへの1つは操作を書く
•低い電力の消滅
– 40 mAの活動的な流れ
– 100つのµA CMOSのスタンバイの流れ
•ハードウェアおよびソフトウェア データ保護
•終わりのためのデータ投票そしてトグル ビットはの検出を書く
•高い信頼性CMOSの技術
–持久力:100,000の周期
–データ保持:10年
•単一の5 V ±10%の供給
•CMOSおよびTTLの多用性がある入出力
•JEDECはバイト幅のPinoutを承認した
•産業温度較差
•緑の(Pb/Halideなしの)包装の選択
指定
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | Intel/Altera |
製品カテゴリ | 記憶IC |
シリーズ | - |
包装 | 管 |
土台式 | SMD/SMT |
パッケージ場合 | 32-LCC (J鉛) |
作動温度 | -40°C | 85°C (TC) |
インターフェイス | 平行 |
電圧供給 | 4.5 V | 5.5ボルト |
製造者装置パッケージ | 32-PLCC |
記憶容量 | 64K (8K X 8) |
記憶タイプ | EEPROM |
速度 | 120ns |
アクセス時間 | 120 ns |
フォーマット記憶 | 平行EEPROMs - |
最高使用可能温度 | + 85 C |
実用温度範囲 | - 40 C |
作動供給電圧 | 5ボルト |
作動供給現在 | 40 mA |
インターフェイス タイプ | 平行 |
構成 | 8 k X 8 |
供給現在最高 | 40 mA |
供給電圧最高 | 5.5 V |
供給電圧分 | 4.5 V |
パッケージ場合 | PLCC-32 |
データ保持 | 10年 |
出力可能にアクセス時間 | 50 ns |
記述
EEPROMの記憶IC 64Kb (8K X 8)平行120ns 32-PLCC
EEPROMの平行64Kビット8K X 8 5V 32 Pin PLCCの管
EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP
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