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MX25L6406EZNI-12G IC Flash 64MBIT SPI 86MHZ 8WSON マクロニックス
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
GD25WD20CEIGR IC FLSH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8USON ギガデバイス半導体 (HK) 有限会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | PSRAM |
| テクノロジー: | PSRAM （擬似SRAM） |
MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
MT53E768M32D4DT-053 WT:E IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM |
MT29F128G08AKAAAC5:A IC Flash 128GBIT PARALLEL 52VLGA マイクロンテクノロジー インク
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | PSRAM |
| テクノロジー: | PSRAM （擬似SRAM） |