中国 CAT24C32HU4I-GT3 IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8UDFN 半線上

CAT24C32HU4I-GT3 IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8UDFN 半線上

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社

MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM -移動式LPDDR
中国 MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I マイクロンテクノロジー株式会社

MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I マイクロンテクノロジー株式会社

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 AT27C1024-70PU IC EPROM 1MBIT PARALLEL 40DIPマイクロチップ技術

AT27C1024-70PU IC EPROM 1MBIT PARALLEL 40DIPマイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EPROM
テクノロジー: EPROM - OTP
中国 AS7C1024B-12JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ アライアンスメモリー,インク

AS7C1024B-12JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ アライアンスメモリー,インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 AS7C1024B-12TJCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ アライアンスメモリー,インク

AS7C1024B-12TJCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ アライアンスメモリー,インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA インフィニオン・テクノロジーズ

CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM - デュアルポート,MOBL
中国 S29CD016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP インフィニオン・テクノロジーズ

S29CD016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 CY7C131-25NC IC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PQFP サイプレス半導体株式会社

CY7C131-25NC IC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PQFP サイプレス半導体株式会社

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM - デュアルポート,非同期
中国 MTFC8GAMALBH-AAT IC FLASH 64GBIT MMC 153TFBGA マイクロンテクノロジー株式会社

MTFC8GAMALBH-AAT IC FLASH 64GBIT MMC 153TFBGA マイクロンテクノロジー株式会社

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-否定論履積
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