すべての製品
R1LP0408DSP-7SI#S0 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM |
IS25LP064A-JLLE IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI,インテグレテッドシリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積（MLC） |
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | PSRAM |
| テクノロジー: | PSRAM （擬似SRAM） |
CY7C0853AV-100BBC IC SRAM 9MBIT PAR 172FBGAサイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,同期 |
CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | NVSRAM |
| テクノロジー: | NVSRAM （不揮発性SRAM） |
IS61NLP25618A-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -、SDR同期 |
CY7C138-25JXI IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PLCCサイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |