IS61NLP25618A-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA ISSI,統合シリコンソリューション株式会社

ブランド名 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
モデル番号 IS61NLP25618A-200B3LI-TR
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット SRAM
テクノロジー SRAM -、SDR同期 記憶容量 4.5Mbit
記憶構成 256K × 18 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 200 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい -
アクセス時間 3.1 ns 電圧 - 供給 3.135V~3.465V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 165-TBGA 供給者のデバイスパッケージ 165-PBGA (13x15)
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Part Number Description
IS61NLP25618A-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61NLP25618A-200B3LI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3LI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-200B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-200B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPS51236A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPS51236A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61NLP25618A-200B3I IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61NLP25618A-200B3I-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-200B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-250B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-200B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-200B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-200B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-250B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-200B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-200B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-250B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-200B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-250B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-200B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-200B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-200B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-250B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-200B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-200B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-250B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPS12836A-200B3I IC SRAM 4MBIT PARALLEL 165PBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

記述

4 メガ NLP/NVP 製品ファミリーは,高速で低消費量の同期静的 RAM を搭載し,ネットワークおよび通信アプリケーションのための装置32ビットで128K単語,36ビットで128K単語,18ビットで256K単語として組織されています. ISSIの先進的なCMOS技術で製造されています.

特徴

• バス の 100% の 利用
• 読書 と 書き込み の 間 に 待ち の サイクル が ない
• 内部の自動タイムリング書き込みサイクル
• 個々のバイト書き込み制御
単一のR/W (読み/書き) コントロールピン
• 時計制御,登録住所,データ,制御
• MODE 入力を使用した間接または線形バーストシーケンス制御
3つのチップは,単純な深さの拡張とアドレスパイプラインを可能にします.
• 停電モード
• 共通のデータ入力とデータ出力
• 時計を起動し,停止するCKEピン
JEDEC 100ピン TQFP,165ボール PBGA と 119ボール PBGA パッケージ
●電源:
NVP:Vdd 2.5V (± 5%),Vddq 2.5V (± 5%)
NLP: Vdd 3.3V (± 5%), Vddq 3.3V/2.5V (± 5%)
• 工業用温度
• 鉛 の ない 製品

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ IS61NLP25618A
タイプ シンクロン
パッケージ テープ&ロール (TR) 代替包装
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 165-TFBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 3.135V~3.465V
供給者 デバイス パッケージ 165-BGA (13x15)
記憶容量 4.5M (256K x 18)
メモリタイプ SRAM - 同期
スピード 200MHz
データ・レート SDR
アクセス時間 3.1 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 + 85C
動作温度範囲 - 40°C
インターフェースタイプ パラレル
組織 256k x 18
供給電流最大 210 mA
供給電圧最大 3.465V
供給電圧-分 3.135V
パッケージケース BGA-165
最大 時計周波数 200 MHz

記述

SRAM - 同期メモリIC 4.5Mb (256K x 18) パラレル200MHz 3.1ns 165-BGA (13x15)
SRAMチップシンクロ 双 3.3V 4Mビット 256K x 18 3.1ns 165-ピン BGA T/R
SRAM 4M (256Kx18) 200MHz 同期 SRAM 3.3v