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MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |
W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
S29GL064S70TFI040 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
MR2A16ACYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 エバーグリーン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | RAM |
| テクノロジー: | MRAM (磁気抵抗型RAM) |
M29W320EB70ZE6E IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT IC フラッシュ RAM 1GBIT PAR 130VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発性のない 揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ、RAM |
| テクノロジー: | FLASH - NAND,モバイルLPDRAM |
AS7C256B-15PIN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA ウィンボンドエレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |
S25FL256SAGNFI003 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
BR24G16FVJ-3AGTE2 IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP ローム半導体
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |