すべての製品
コンタクトパーソン : Zhao
電話番号 : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

  • MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
ブランド名 Micron Technology Inc.
モデル番号 MT47H128M4CF-25E:G
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
支払条件 T/T
供給の能力 ストック

試供品およびクーポンのための私に連絡しなさい。

Whatsapp:0086 18588475571

微信: 0086 18588475571

スカイプ: sales10@aixton.com

心配があれば、私達は24時間のオンライン・ヘルプを提供する。

x
商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM - DDR2 記憶容量 512Mbit
記憶構成 128M × 4 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 400 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 400 ps 電圧 - 供給 1.7V~1.9V
動作温度 0°C | 85°C （TC） マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 60-TFBGA 供給者のデバイスパッケージ 60-FBGA （8x10）
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number Description
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-187E:H IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 L:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E L:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M4CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H256M4CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47R256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-187E:M TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 32 メガ × 4 × 8 バンク
MT47H128M8 16 メグ × 8 × 8 банки
MT47H64M16 8 メグ × 16 × 8 банки

特徴

VDD = 1.8V ±0.1V,VDDQ = 1.8V ±0.1V
JEDEC標準 1.8V I/O (SSTL_18対応)
差分データストロブ (DQS,DQS#) オプション
• 4nビットプリフェッチアーキテクチャ
• x8 のための複製出力ストロブ (RDQS) オプション
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 8つの内部バンクが同時に運用される
プログラム可能なCAS遅延 (CL)
• CAS 添加物 レイテンシー (AL)
• WRITE レイテンシー = READ レイテンシー - 1 tCK
• 選択可能なバースト長 (BL): 4 か 8
• 調整可能なデータ出力駆動強度
• 64ms, 8192サイクルリフレッシュ
• 死亡時に終了 (ODT)
■工業温度 (IT) オプション
自動車温度 (AT) オプション
• RoHS 準拠
• JEDECクロックジッター仕様に対応

仕様

属性 属性値
製造者 マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレー
パッケージケース 60TFBGA
動作温度 0°C ~ 85°C (TC)
インターフェース パラレル
電圧供給 1.7V~1.9V
供給者 デバイス パッケージ 60FBGA (8x10)
記憶容量 512M (128Mx4)
メモリタイプ DDR2 SDRAM
スピード 2.5ns
フォーマットメモリ RAM

記述

SDRAM - DDR2メモリIC 512Mb (128M x 4) パラレル 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
DRAMチップ DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60ピン FBGA
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC