すべての製品
MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOICマイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |
CY7C1464AV33-167BGI IC SRAM 36MBIT PAR 209FBGAサイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -、SDR同期 |
W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR |
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC フラッシュ RAM 4GBIT PAR 168WFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発性のない 揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ、RAM |
| テクノロジー: | FLASH - NAND,モバイルLPDRAM |
IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR |
MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | ドラム |