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SST39VF010-70-4I-WHE IC Flash 1MBIT PARALLEL 32TSOP マイクロチップ テクノロジー
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |
MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |
CY7C1470V25-200BZI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -、SDR同期 |
IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM |
IS25LP128-JKLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON ウィンボンドエレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |
71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |