71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

ブランド名 Renesas Electronics America Inc
モデル番号 71V416S12BEI
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット SRAM
テクノロジー SRAM -非同期 記憶容量 4Mbit
記憶構成 256K×16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 12ns
アクセス時間 12ns 電圧 - 供給 3V~3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 48-TFBGA 供給者のデバイスパッケージ 48-CABGA (9x9)
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Part Number Description
71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L10BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L10BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
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71V416L12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
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71V416L15BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
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71V416S10BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
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71V416S10BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
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71V416S15BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
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71V416S15BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
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71V416S12BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416L10BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416L10BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416L10BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416L10BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416S10BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416S10BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL10BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL10BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL12BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL12BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL12BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS10BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS10BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS12BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS12BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS12BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS15BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS15BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L10BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

記述

IDT71V416は4号機で194304ビット高速静的RAM 256K×16で構成され 高性能で信頼性の高いCMOS技術で製造されています革新的な回路設計技術と組み合わせた高速メモリの需要に費用対効果の高いソリューションを提供します.
IDT71V416には出力ポインがあり,5nsの速度で動作し,アドレスアクセス時間は10nsの速度で動作します.IDT71V416のすべてのバイダイレクト入力と出力は LVTTL対応で,操作は単一の3.3V電源.完全に静的非同期回路を使用し,動作には時計やリフレッシュは必要ありません.

特徴

◆ 256K x 16 高速 CMOS 静的 RAM
◆ JEDEC センター パワー / GND ピンアウト 低騒音.
◆ 平等 な アクセス と サイクルの 時間
商業・産業: 10/12/15ns
◆ 1 つのチップ選択プラス 1 つの出力有効ピン
◆ 2方向データ入力と出力は直接LVTTL対応
◆ チップ の 選択 を 切除 する こと に よっ て 低 電源 消費
◆ 上部 と 下部 の バイト を 使える ピン
◆ 単一 3.3V 電源
◆ 44ピン,400ミリプラスチックSOJパッケージと44ピン,400ミリTSOPタイプIIパッケージと48ボールグリッド配列,9mmx9mmパッケージで提供されています.

仕様

属性 属性値
製造者 統合回路システム
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ 71V416
タイプ アシンクロン
パッケージ トレイ 代替パッケージ
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 48-TFBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 3V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 48-CABGA (9x9)
記憶容量 4M (256K x 16)
メモリタイプ SRAM - アシンクロン
スピード 12ns
アクセス時間 12 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 + 85C
動作温度範囲 - 40°C
インターフェースタイプ パラレル
組織 256k x 16
供給電流最大 180 mA
パート#アリアス 71V416 IDT71V416S12BEI
供給電圧最大 3.6V
供給電圧-分 3V
パッケージケース CABGA-48
機能的に互換性のある部品形式 パッケージ 機能互換性のある部品
製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
IDT71V416S12BEI8
記憶力
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,BGA-48 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V416S12BEI 対 IDT71V416S12BEI8
IDT71V416YS12BEG3
記憶力
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,ROHS対応,BGA-48 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V416S12BEI 対 IDT71V416YS12BEG3
IDT71V416S12BEI
記憶力
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,BGA-48 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V416S12BEI 対 IDT71V416S12BEI
IDT71V416VS12BEGI
記憶力
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,BGA-48 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V416S12BEI 対 IDT71V416VS12BEGI
IDT71V416YS12BEGI
記憶力
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,BGA-48 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V416S12BEI 対 IDT71V416YS12BEGI
IDT71V416YFS12BEI
記憶力
標準 SRAM 256KX16, 12ns CMOS PBGA48 9 × 9 MM POWER BGA48 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V416S12BEI 対 IDT71V416YFS12BEI
71V416VS12BEGI
記憶力
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,ROHS対応,BGA-48 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V416S12BEI 対 71V416VS12BEGI
71V416S12BEI8
記憶力
CABGA-48 リール インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V416S12BEI 対 71V416S12BEI8
IDT71V416S12BEGI
記憶力
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,BGA-48 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V416S12BEI 対 IDT71V416S12BEGI
71V416S12BEGI
記憶力
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,ROHS対応,BGA-48 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V416S12BEI 対 71V416S12BEGI

記述

SRAM - アシンクロンメモリIC 4Mb (256K x 16) パラレル 12ns 48-CABGA (9x9)
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM について