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71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

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x商品の詳細
記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | SRAM |
---|---|---|---|
テクノロジー | SRAM -非同期 | 記憶容量 | 4Mbit |
記憶構成 | 256K×16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 12ns |
アクセス時間 | 12ns | 電圧 - 供給 | 3V~3.6V |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 48-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 48-CABGA (9x9) |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number | Description | |
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71V416S12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L10BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L10BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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71V416L15BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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71V416S10BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S10BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S10BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S12BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S12BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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71V416S15BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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71V416L15BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416L10BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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IDT71V416VL12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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IDT71V416VL12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VL12BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VL15BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VL15BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VL15BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VL15BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VL15BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VL15BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VS10BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VS10BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VS12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VS12BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VS12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VS12BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VS15BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VS15BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L10BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA |
製品の説明
製品詳細
記述
IDT71V416は4号機で194304ビット高速静的RAM 256K×16で構成され 高性能で信頼性の高いCMOS技術で製造されています革新的な回路設計技術と組み合わせた高速メモリの需要に費用対効果の高いソリューションを提供します.IDT71V416には出力ポインがあり,5nsの速度で動作し,アドレスアクセス時間は10nsの速度で動作します.IDT71V416のすべてのバイダイレクト入力と出力は LVTTL対応で,操作は単一の3.3V電源.完全に静的非同期回路を使用し,動作には時計やリフレッシュは必要ありません.
特徴
◆ 256K x 16 高速 CMOS 静的 RAM◆ JEDEC センター パワー / GND ピンアウト 低騒音.
◆ 平等 な アクセス と サイクルの 時間
商業・産業: 10/12/15ns
◆ 1 つのチップ選択プラス 1 つの出力有効ピン
◆ 2方向データ入力と出力は直接LVTTL対応
◆ チップ の 選択 を 切除 する こと に よっ て 低 電源 消費
◆ 上部 と 下部 の バイト を 使える ピン
◆ 単一 3.3V 電源
◆ 44ピン,400ミリプラスチックSOJパッケージと44ピン,400ミリTSOPタイプIIパッケージと48ボールグリッド配列,9mmx9mmパッケージで提供されています.
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | 統合回路システム |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | 71V416 |
タイプ | アシンクロン |
パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
マウントスタイル | SMD/SMT |
パッケージケース | 48-TFBGA |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 3V~3.6V |
供給者 デバイス パッケージ | 48-CABGA (9x9) |
記憶容量 | 4M (256K x 16) |
メモリタイプ | SRAM - アシンクロン |
スピード | 12ns |
アクセス時間 | 12 ns |
フォーマットメモリ | RAM |
最大動作温度 | + 85C |
動作温度範囲 | - 40°C |
インターフェースタイプ | パラレル |
組織 | 256k x 16 |
供給電流最大 | 180 mA |
パート#アリアス | 71V416 IDT71V416S12BEI |
供給電圧最大 | 3.6V |
供給電圧-分 | 3V |
パッケージケース | CABGA-48 |
製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
IDT71V416S12BEI8 記憶力 |
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,BGA-48 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V416S12BEI 対 IDT71V416S12BEI8 |
IDT71V416YS12BEG3 記憶力 |
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,ROHS対応,BGA-48 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V416S12BEI 対 IDT71V416YS12BEG3 |
IDT71V416S12BEI 記憶力 |
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,BGA-48 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V416S12BEI 対 IDT71V416S12BEI |
IDT71V416VS12BEGI 記憶力 |
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,BGA-48 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V416S12BEI 対 IDT71V416VS12BEGI |
IDT71V416YS12BEGI 記憶力 |
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,BGA-48 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V416S12BEI 対 IDT71V416YS12BEGI |
IDT71V416YFS12BEI 記憶力 |
標準 SRAM 256KX16, 12ns CMOS PBGA48 9 × 9 MM POWER BGA48 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V416S12BEI 対 IDT71V416YFS12BEI |
71V416VS12BEGI 記憶力 |
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,ROHS対応,BGA-48 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V416S12BEI 対 71V416VS12BEGI |
71V416S12BEI8 記憶力 |
CABGA-48 リール | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V416S12BEI 対 71V416S12BEI8 |
IDT71V416S12BEGI 記憶力 |
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,BGA-48 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V416S12BEI 対 IDT71V416S12BEGI |
71V416S12BEGI 記憶力 |
標準 SRAM,256KX16,12ns,CMOS,PBGA48,9X9MM,ROHS対応,BGA-48 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V416S12BEI 対 71V416S12BEGI |
記述
SRAM - アシンクロンメモリIC 4Mb (256K x 16) パラレル 12ns 48-CABGA (9x9)
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM について
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