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IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI,統合シリコンソリューション株式会社

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x商品の詳細
記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
---|---|---|---|
テクノロジー | SDRAM | 記憶容量 | 16Mbit |
記憶構成 | 1M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | 143のMHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
アクセス時間 | 5.5 ns | 電圧 - 供給 | 3V~3.6V |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 50TSOP (0.400", 10.16mm 幅) | 供給者のデバイスパッケージ | 50TSOPII |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
IS42S16100H-7TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100H-7TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100H-7TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100H-7TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100H-6TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100H-6TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100H-6TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100H-6TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16100H-7TLA1-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16100H-7TLA1 | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16100H-7TLA2-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16100H-7TLA2 | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-7TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-5T | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-5T-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-5TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-5TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-6T | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-6T-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-6TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-6TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-7T | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS42S16100C1-7TI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS42S16100C1-7TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-7TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-7TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10T | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10T-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10TI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10TI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-7TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-6TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-5TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-7TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-6TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16100C1-7TLA1 | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-7TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-6TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-5TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-6TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16100C1-7TLA1-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16400F-7TLA2 | IC DRAM 64MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16400F-7TLA2-TR | IC DRAM 64MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-7TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-7TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-5TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-5TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-6TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-6TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-6TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-6TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-7TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-7TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS45S16100E-7TLA1 | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16100E-7TLA1-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II |
製品の説明
製品詳細
ISSIの16Mbの同期DRAMIS42S16100は,性能向上のために524,288文字×16ビット×2バンクとして組織されています.同期DRAMはパイプラインアーキテクチャを使用して高速データ転送を実現するすべての入力と出力信号は,クロックインプットの上昇するエッジを指します.
特徴
• 時計周波数: 166, 143, 100 MHz• 完全同期;すべての信号は正の時計のエッジに参照される
• 2つの銀行が同時に独立して運営できる
• A11 (銀行選択) が制御するダブル・インナー・バンク
単一の3.3V電源
• LVTTLインターフェース
• プログラム できる 爆発 長さ (1, 2, 4, 8, 全ページ)
• プログラム可能な爆発配列: 配列/インターリーブ
• 自動 更新,自己 更新
• 128 ms ごとに 4096 回のリフレッシュ サイクル
• 時計サイクルごとにランダムな列アドレス
• プログラム可能なCAS レイテンシー (2,3 時間)
• 読み込み/書き込み,読み込み/書き込み操作の能力
• 爆発停止と前充電コマンドによる爆発停止
• LDQMとUDQMによって制御されるバイト
• パッケージ 400ミリ 50ピンTSOPII
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | ISSI |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | - |
パッケージ | 代替包装 |
パッケージケース | 50TSOP (0.400", 10.16mm 幅) |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 3V~3.6V |
供給者 デバイス パッケージ | 50TSOPII |
記憶容量 | 16M (1M x 16) |
メモリタイプ | SDRAM |
スピード | 143MHz |
フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAMメモリIC 16Mb (1M x 16) パラレル 143MHz 5.5ns 50-TSOP II
16M 3.3V SDRAM 1MX16 143MH
DRAM 16M 3.3V SDRAM 1Mx16 143Mhz RoHS
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