中国 GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT 並列 165FPBGA GSI テクノロジー株式会社

GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT 並列 165FPBGA GSI テクノロジー株式会社

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM - クアッドポート,同期
中国 BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB ローム半導体

BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB ローム半導体

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ アライアンスメモリー,インク

AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ アライアンスメモリー,インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI,統合シリコンソリューション株式会社

IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI,統合シリコンソリューション株式会社

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM - デュアルポート,非同期
中国 W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス

W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM - モバイルLPDDR2
中国 MX25V1635FZNI IC Flash 16MBIT SPI/QUAD 8WSON マクロニックス

MX25V1635FZNI IC Flash 16MBIT SPI/QUAD 8WSON マクロニックス

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス

W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI 統合シリコンソリューション インク

IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI 統合シリコンソリューション インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA サイプレス半導体株式会社

CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA サイプレス半導体株式会社

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM - デュアルポート,同期
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