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70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| ブランド名 | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| モデル番号 | 70V657S10DRG |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | SRAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SRAM - デュアルポート,非同期 | 記憶容量 | 1.125Mbit |
| 記憶構成 | 32K × 36 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 10ns |
| アクセス時間 | 10 ns | 電圧 - 供給 | 3.15V～3.45V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 208-BFQFP | 供給者のデバイスパッケージ | 208-PQFP （28x28） |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 70V657S10DRG | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V658S10DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRGI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S133DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S133DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S166DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S133DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S133DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S166DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70T3599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70T651S10DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S12DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S12DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S15DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S10DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S12DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S15DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S4DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S5DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S5DRI | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S6DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3579S4DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S5DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S5DRI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S6DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3589S133DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DRG8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3599S133DRI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S10DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S12DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S12DRI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S15DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V658S10DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S12DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S12DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S15DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S10DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRGI8 | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S15DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S133DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S133DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S166DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S166DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V7599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3589S133DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRG8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRGI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRGI8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3599S133DRGI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S10DRG8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP |
製品の説明
製品詳細
記述
IDT70V659/58/57は高速な128/64/32K x 36アシンクロノス・デュアルポート静的RAMである.IDT70V659/58/57は,スタンドアロン4/2/1MbitデュアルポートRAMまたは72ビット以上のワードシステムのためのMASTER/SLAVEデュアルポートRAMの組み合わせとして使用するように設計されています.IDT MASTERSLAVE 双ポート RAM アプローチを 72 ビット以上のメモリシステムアプリケーションで使用すると,追加の離散論理を必要とせずに,全速でエラーのない動作が得られます.
特徴
◆ 同じ 記憶 場所 に 同時に アクセス できる 真 の 二 ポート 記憶 セル◆ 高速 アクセス
商用: 10/12/15ns (最大)
工業用: 12/15ns (最大)
◆ダブルチップは,外部論理なしで深さの拡張を可能にします
◆ IDT70V659/58/57 は,複数のデバイスをカスケード化する場合,マスター/スレーブ選択を使用して,データバス幅を72ビット以上に簡単に拡張します.
◆M/S = BUSY出力フラグのMaster,BUSY入力のSlaveのM/S = VIL
◆ 忙しく 旗 を 断つ
◆オンチップのポート仲裁論理
◆ ポート 間 の セマフォア 信号 通信 の 完全な チップ 上 の ハードウェア サポート
◆ 両端 から 完全 に 同期 し ない 動作
◆ バスとバスのマッチング互換性のために別々のバイト制御
◆ IEEE 1149 に準拠する JTAG 機能をサポートします.1
◆ LVTTL に対応する,単一の 3.3V (± 150mV) の電源
◆各ポートのI/Oと制御信号のためのLVTTL対応,選択可能な3.3V (±150mV) /2.5V (±100mV) 電源
◆ 208 ピン の プラスチック の 四 角 型 フラットパック,208 ボール の 細い 音 線 の ボール 格子 配列,256 ボール の ボール 格子 配列 で 入手 でき ます
◆ 選択 し た 速さ に は,工業用 温度 範囲 (°C 40 から +°C 85 まで) が 提供 さ れ ます
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | 統合回路システム |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | 70V657 |
| タイプ | アシンクロン |
| パッケージ | トレー |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| パッケージケース | 208-BFQFP |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 3.15V~3.45V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 208-PQFP (28x28) |
| 記憶容量 | 1.125M (32K×36) |
| メモリタイプ | SRAM - デュアルポート,非同期 |
| スピード | 10ns |
| アクセス時間 | 10 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | +70°C |
| 動作温度範囲 | 0 C |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 32k x 36 |
| 供給電流最大 | 500mA |
| パート#アリアス | 70V657 IDT70V657S10DRG |
| 供給電圧最大 | 3.45V |
| 供給電圧-分 | 3.15V |
| パッケージケース | PQFP-208 |
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| IDT70V657S10BFG 記憶力 |
双ポートSRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, グリーン, FPBGA-208 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 70V657S10DRG 対 IDT70V657S10BFG |
| 70V657S10BFG 記憶力 |
CABGA-208 トレイ | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 70V657S10DRG 対 70V657S10BFG |
| 70V657S10BFG8 記憶力 |
CABGA-208 リール | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 70V657S10DRG 対 70V657S10BFG8 |
| IDT70V657S10BFG8 記憶力 |
2 ポート SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 70V657S10DRG 対 IDT70V657S10BFG8 |
| 70V657S10BC 記憶力 |
CABGA-256 トレイ | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 70V657S10DRG 対 70V657S10BC |
| IDT70V657S10DRG 記憶力 |
双ポートSRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-208 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 70V657S10DRG 対 IDT70V657S10DRG |
| IDT70V657S10BCG 記憶力 |
双ポートSRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, グリーン, BGA-256 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 70V657S10DRG 対 IDT70V657S10BCG |
| 70V657S10BCG 記憶力 |
CABGA-256 トレイ | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 70V657S10DRG 対 70V657S10BCG |
| IDT70V657S10BC 記憶力 |
2 ポート SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 70V657S10DRG 対 IDT70V657S10BC |
| 70V657S10BCG8 記憶力 |
2 ポート SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 70V657S10DRG 対 70V657S10BCG8 |
記述
SRAM - デュアルポート,非同期メモリIC 1.125Mb (32K x 36) パラレル10ns 208-PQFP (28x28)
SRAM 32K X 36 ASYNC DP RAM について
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