中国 MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM - DDR4
中国 AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAPマイクロチップ技術

AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAPマイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA マイクロンテクノロジー株式会社

MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA マイクロンテクノロジー株式会社

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN マイクロチップ技術

AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN マイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA アライアンスメモリー,インク

AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA アライアンスメモリー,インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM - モバイルLPDDR2
中国 AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFNマイクロチップ技術

AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFNマイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLEL 40VSOPマイクロチップ技術

AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLEL 40VSOPマイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ
中国 MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社

MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM -移動式LPDDR4
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