中国 AS4C128M8D3-12BAN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA アライアンスメモリー,インク

AS4C128M8D3-12BAN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA アライアンスメモリー,インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM - DDR3
中国 CY14V256LA-BA35XI IC NVSRAM 256KBIT PAR 48FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

CY14V256LA-BA35XI IC NVSRAM 256KBIT PAR 48FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: NVSRAM
テクノロジー: NVSRAM (不揮発性SRAM)
中国 IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM - DDR2
中国 DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP アナログデバイス株式会社/マキシム統合

DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP アナログデバイス株式会社/マキシム統合

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: NVSRAM
テクノロジー: NVSRAM (不揮発性SRAM)
中国 CY7C10612G30-10ZSXI IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II インフィニオン・テクノロジーズ

CY7C10612G30-10ZSXI IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 IS25LP128-JBLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC ISSI,統合シリコンソリューション株式会社

IS25LP128-JBLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC ISSI,統合シリコンソリューション株式会社

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 IS25LP128-JMLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC ISSI,統合シリコンソリューション株式会社

IS25LP128-JMLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC ISSI,統合シリコンソリューション株式会社

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II インフィニオン・テクノロジーズ

CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 MX29F200CBTI-70G IC フラッシュ 2MBIT PARALLEL 48TSOP マクロニックス

MX29F200CBTI-70G IC フラッシュ 2MBIT PARALLEL 48TSOP マクロニックス

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
中国 S25FL128LAGNFI010 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON インフィニオン・テクノロジーズ

S25FL128LAGNFI010 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ-
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