中国 CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ インフィニオン・テクノロジーズ

CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ インフィニオン・テクノロジーズ

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP レネサスデザイン ドイツ GmbH

AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP レネサスデザイン ドイツ GmbH

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: フラッシュ
テクノロジー: フラッシュ
中国 93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT マイクロワイヤー 8DFN マイクロチップ技術

93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT マイクロワイヤー 8DFN マイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI,インテグレート・シリコン・ソリューション・インク

IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI,インテグレート・シリコン・ソリューション・インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM - DDR3
中国 MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社

MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM
中国 7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM - デュアルポート,非同期
中国 AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II アライアンスメモリー,インク

AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II アライアンスメモリー,インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: ドラム
テクノロジー: SDRAM
中国 71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM
テクノロジー: SRAM -非同期
中国 24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 マイクロチップ技術

24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 マイクロチップ技術

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
中国 BR24G32FVT-3AGE2 IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPB ローム半導体

BR24G32FVT-3AGE2 IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPB ローム半導体

記憶タイプ: 不揮発性
記憶フォーマット: EEPROM
テクノロジー: EEPROM
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