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W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR |
MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP ローム半導体
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
FT24C32A-USR-T IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP フリーモントマイクロデバイスズ株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
FM24CL16B-GTR IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | 前方 |
| テクノロジー: | FRAM （Ferroelectric RAM） |
AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC マイクロチップ テクノロジー
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EPROM |
| テクノロジー: | EPROM - OTP |
SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGAマイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |
DS2431P+T&R IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC アナログデバイス株式会社/マキシム統合
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM |