SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGAマイクロチップ技術

ブランド名 Microchip Technology
モデル番号 SST39VF800A-70-4I-MAQE-T
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ
テクノロジー フラッシュ 記憶容量 8Mbit
記憶構成 512K X 16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 20µs
アクセス時間 70 ns 電圧 - 供給 2.7V~3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 48-WFBGA 供給者のデバイスパッケージ 48-WFBGA (6x4)
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number Description
SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39VF400A-70-4C-MAQE IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39VF800A-70-4C-MAQE IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA
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SST39WF1602-70-4C-MAQE-T IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1602-70-4I-MAQE-T IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1602-70-4I-MAQE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1602-70-4C-MAQE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1601-70-4I-MBQE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1602-70-4C-MBQE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1601-70-4C-MBQE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1602-70-4I-MBQE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39VF400A-70-4C-M1QE IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48WFBGA
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SST39VF800A-70-4C-M1QE IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39VF200A-70-4I-M1QE IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39VF400A-70-4I-M1QE IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39VF800A-70-4I-M1QE IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1601-90-4I-MBQE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1602-90-4I-MBQE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF400A-90-4I-M1QE IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF800A-90-4I-M2QE IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF800A-90-4C-M2QE IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1601-90-4C-MBQE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1602-90-4C-MBQE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF400A-90-4C-M1QE IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF400A-90-4I-M1QE-T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1601-70-4C-MBQE-T IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39VF800A-70-4I-M1QE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39VF800A-70-4C-M1QE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1601-70-4I-MBQE-T IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39VF200A-70-4I-M1QE-T IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39VF200A-70-4C-M1QE-T IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39VF400A-70-4I-M1QE-T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF800A-90-4C-M2QE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF800A-90-4I-M2QE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39VF200A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48WFBGA
SST39WF1601-70-4C-Y1QE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

製品説明

SST39LF200A/400A/800AとSST39VF200A/400A/800Aのデバイスは,SSTの特許で製造された128K x16 / 256K x16 / 512K x16 CMOS多目的フラッシュ (MPF) です.高性能 CMOS スーパーフラッシュ技術スプリットゲートセル設計と厚いオキシドトンネル注射器は,代替方法と比較してより高い信頼性と製造可能性を達成します.SST39LF200A/400A/800A は 3 と書き込み (プログラムまたは削除).0-3.6V電源.SST39VF200A/400A/800Aは2.7-3.6V電源で書き込み (プログラムまたは消去) しています.これらのデバイスはx16メモリのためのJEDEC標準ピノートに対応しています.

特徴:

• 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 として組織されています
• 単電圧読み書き操作
◎ SST39LF200A/400A/800Aの3.0〜3.6V
SST39VF200A/400A/800Aのために2.7-3.6V
• 優れた 信頼性
耐久性: 10万 回 (典型)
〇 100 年以上のデータ保存
低電力消費 (典型値は14MHz)
活性電流: 9 mA (典型)
待機電流: 3 μA (典型)
• セクター消去能力
単一2KWord部門
• ブロック 消す 能力
単一 32 KWord ブロック
• 速読 アクセス 時間
SST39LF200A/400A/800Aでは55 ns
SST39VF200A/400A/800Aでは70 ns
• 固定 アドレス と データ
• 迅速 に 消し去り,ワード プログラム
セクター消去時間: 18 ms (典型)
ブロック消去時間: 18 ms (典型)
チップ消去時間: 70 ms (典型)
ワード・プログラム時間: 14 μs (典型)
チップの書き直し時間:
SST39LF/VF200Aでは2秒 (典型)
SST39LF/VF400Aでは4秒 (典型)
SST39LF/VF800Aでは8秒 (典型)
• 自動 書き込み タイミング
国内VPP発電
• 書き込み の 終わり を 検知 する
トーグルビット
データ# 投票
• CMOS I/O 互換性
• JEDEC 標準
フラッシュ EEPROM パイナウトとコマンドセット
• 提供 可能な パッケージ
48鉛のTSOP (12mm x 20mm)
48ボールのTFBGA (6mm x 8mm)
48ボールのWFBGA (4mm x 6mm)
48ボンプXFLGA (4mm x 6mm) 4と8Mbit
• すべての非Pb (鉛のない) 装置は RoHS に準拠しています

仕様

属性 属性値
製造者 マイクロチップ技術
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ SST39 MPFTM
パッケージ テープ&ロール (TR) 代替包装
マウントスタイル SMD/SMT
動作温度範囲 -40°Cから+85°C
パッケージケース 48-WFBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 2.7V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 48-WFBGA (6x4)
記憶容量 8M (512K x 16)
メモリタイプ フラッシュ
スピード 70n
建築 セクター
フォーマットメモリ フラッシュ
インターフェースタイプ パラレル
組織 512k x 16
供給電流最大 30mA
データバスの幅 16ビット
供給電圧最大 3.6V
供給電圧-分 2.7V
パッケージケース WFBGA-48
タイムタイプ アシンクロン
機能的に互換性のある部品形式 パッケージ 機能互換性のある部品
製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
SST39VF800A-70-4I-C1Q
記憶力
フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,4X6MM,0.50MMピッチ,MO-222,XFLGA-48 シリコン貯蔵技術 SST39VF800A-70-4I-MAQE-T 対 SST39VF800A-70-4I-C1Q
SST39VF800A-70-4I-Y1QE
記憶力
フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,4X6MM,0.50MMピッチ,ROHSコンパイル,MO-207C2B-4,WFBGA-48 シリコン貯蔵技術 SST39VF800A-70-4I-MAQE-T 対 SST39VF800A-70-4I-Y1QE
SST39VF800A-70-4I-M1Q
記憶力
フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,4X6MM,0.50MMピッチ,MO-225,WFBGA-48 シリコン貯蔵技術 SST39VF800A-70-4I-MAQE-T対SST39VF800A-70-4I-M1Q
SST39VF800A-70-4I-MAQE
記憶力
512K X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PBGA48, 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS コンプライアント, MO-207CB-4, WFBGA-48 マイクロチップ・テクノロジー SST39VF800A-70-4I-MAQE-T対SST39VF800A-70-4I-MAQE
SST39VF800A-70-4I-M1QE
記憶力
フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,4X6MM,0.50MMピッチ,ROHSコンパイル,MO-207C2B-4,WFBGA-48 シリコン貯蔵技術 SST39VF800A-70-4I-MAQE-T対 SST39VF800A-70-4I-M1QE

記述

フラッシュメモリIC 8Mb (512K x 16) パラレル70ns 48-WFBGA (6x4)
フラッシュ パラレル 3.3V 8Mビット 512K x 16 70ns 48ピンのWFBGA T/R
フラッシュメモリ 2.7Vから3.6V 8Mbit マルチプリプス Fl