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IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社

  • IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ブランド名 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
モデル番号 IS42S16320F-7BLI
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価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM 記憶容量 512Mbit
記憶構成 32M x 16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 143のMHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい -
アクセス時間 5.4 ns 電圧 - 供給 3V~3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 54-TFBGA 供給者のデバイスパッケージ 54-TW-BGA (8x13)
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Part Number Description
IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160B-7BL IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6B IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7B IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16800D-6B IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-6B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-7B IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-7B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBL IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBLI IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16160B-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16800D-75EBL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16160B-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7B IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320B-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-6BL IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BLI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42VM16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-75BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-75BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320B-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS45S16320B-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

装置の概要

ISSIS 512Mb 同期DRAMはパイプラインアーキテクチャを使用して高速なデータ転送を達成する.すべての入力および出力信号は,クロックインプットの上昇するエッジを参照する.

特徴

• 時計 の 周波数: 200, 166, 143 MHz
• 完全同期;すべての信号は正の時計のエッジに参照される
• 隠し列へのアクセス/前充電のための内部バンク
●電源: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 25
• LVTTLインターフェース
• プログラム できる 爆発 長さ (1, 2, 4, 8, 全ページ)
• プログラム可能な爆発配列: 配列/インターリーブ
• 自動 更新 (CBR)
• 自分 を 爽やか する
• 8K リフレッシュ サイクル 64 ms ごとに
• 時計サイクルごとにランダムな列アドレス
• プログラム可能なCAS レイテンシー (2,3 時間)
• 読み込み/書き込み,読み込み/書き込み操作の能力
• 爆発停止と前充電コマンドによる爆発停止
パッケージ: x8/x16: 54ピンTSOP-II, 54ボールTF-BGA (x16のみ) x32: 90ボールTF-BGA
• 温度範囲: 商業用 (0°Cから+70°C) 産業用 (-40°Cから+85°C) 自動車用,A1 (-40°Cから+85°C) 自動車用,A2 (-40°Cから+105°C)

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレイ 代替パッケージ
パッケージケース 54-TFBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 3V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 54-TWBGA (13x8)
記憶容量 512M (32M x 16)
メモリタイプ SDRAM
スピード 143MHz
フォーマットメモリ RAM

記述

SDRAMメモリIC 512Mb (32M x 16) パラレル 143MHz 5.4ns 54-TWBGA (13x8)
DRAMチップ SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54ピン TW-BGA
DRAM 512M 3.3V SDRAM 32Mx16, 143MHz 54ボール BGA (8mmx13mm), RoHS IT
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC