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IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

  • IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ブランド名 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
モデル番号 IS43DR81280C-25DBL
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM - DDR2 記憶容量 1Gbit
記憶構成 128M x 8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 400 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 400 ps 電圧 - 供給 1.7V~1.9V
動作温度 0°C | 85°C （TC） マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 60-TFBGA 供給者のデバイスパッケージ 60TWBGA (8x10.5)
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Part Number Description
IS43DR86400E-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400D-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

特徴

● 標準電圧: VDD と VDDQ = 1.5V ± 0.075V
● 低電圧 (L): VDD と VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5Vまでバックコンパクト
● 高速データ転送速度
933 MHz まで
● 8 つの内部バンクが同時に動作する
● 8n ビットプリフェッチアーキテクチャ
● プログラム可能な CAS 遅延
● プログラム可能な添加遅延: 0,CL-1,CL-2
● プログラム可能なCAS WRITE レイテンシー (CWL)
● プログラム できる 爆発 長さ: 4 と 8
● プログラム できる 爆発 配列: 配列 や 交差 配列
● 瞬く間に BL を 切り替える
● 自動 更新 (ASR)
● 自発 更新 温度 (SRT)
● 更新 期間:
7.8 us (8192サイクル/64 ms) Tc=-40°Cから85°C
3.9 us (8192サイクル/32 ms) Tc= 85°Cから105°C
● 部分 配列 自動 更新
● アシンクロンな RESET ピン
● TDQS (Termination Data Strobe) がサポートされています (x8のみ)
●OCD (オフチップ ドライバー 阻害 調整)
● ダイナミック ODT (オン・ダイ・ターミネーション)
● ドライバーの強さ: RZQ/7,RZQ/6 (RZQ = 240)
● 書き込み の レベル
● DLL のオフ モード で 200 MHz まで
● 動作温度:
商業用 (TC=0°Cから+95°C)
工業用 (TC=-40°Cから+95°C)
自動車用,A1 (TC = -40°Cから+95°C)
自動車用 A2 (TC = -40°Cから+105°C)

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
製造者 ISSI
製品カテゴリ DRAM
RoHS 詳細
ブランド ISSI

記述

SDRAM - DDR2 メモリIC 1Gb (128M x 8) パラレル 400MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5)
DRAMチップ DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60ピン TW-BGA
DRAM DDR2,1G1.8V,RoHs 400MHz,128Mx8
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC