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DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP アナログデバイス株式会社/マキシム統合

  • DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
ブランド名 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
モデル番号 DS1225AD-200+
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット NVSRAM
テクノロジー NVSRAM （不揮発性SRAM） 記憶容量 鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆
記憶構成 8K X 8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 200ns
アクセス時間 200 ns 電圧 - 供給 4.5V~5.5V
動作温度 0°C~70°C (TA) マウントタイプ 穴を抜ける
パッケージ/ケース 28DIPモジュール (0.600" 15.24mm) 供給者のデバイスパッケージ 28-EDIP
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number Description
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-85+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-85+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-200+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-170+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-200+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-85+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230W-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-170+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-85+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-200 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-200IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-150IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-200IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-150IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-85 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-85 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-200IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-70IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230W-100IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225Y-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

記述

DS1225ABとDS1225ADは65,536ビット,完全静的,不揮発性 SRAMで,8ビット分8192語に分類されている.各 NV SRAM には,自立のリチウムエネルギー源と制御回路があり,容量を超えた状態の VCC を常に監視します..

特徴

外部の電源がない場合,最低10年間のデータ保存
データが自動的に電源切れ時に保護されます.
8k x 8 の不安定な静的 RAM や EEPROM を直接置き換える
無制限の書き込みサイクル
低電力CMOS
JEDEC標準28ピンDIPパッケージ
読み書きアクセス時間は 70 ns まで速く
リチウムエネルギー源は,電力を初めて適用されるまで新鮮さを保持するために電気的に切断されています.
完全な ±10% VCC操作範囲 (DS1225AD)
任意のVCC動作範囲 ±5% (DS1225AB)
任意の産業用温度範囲 -40°Cから+85°C,IND

仕様

属性 属性値
製造者 マキシム 統合
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ DS1225AD
パッケージ トューブ
マウントスタイル 穴を抜ける
パッケージケース 28DIPモジュール (0.600" 15.24mm)
動作温度 0°C~70°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 4.5V~5.5V
供給者 デバイス パッケージ 28 エディプ
記憶容量 64K (8K x 8)
メモリタイプ NVSRAM (非揮発性 SRAM)
スピード 200nm
アクセス時間 200 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 +70°C
動作温度範囲 0 C
稼働供給電流 75mA
インターフェースタイプ パラレル
組織 8k × 8
パート#アリアス 90-1225A+D00 DS1225AD
データバスの幅 8ビット
供給電圧最大 5.5V
供給電圧-分 4.5V
パッケージケース EDIP-28

機能的に互換性のある部品

形式 パッケージ 機能互換性のある部品

製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
DS1225Y-200+
記憶力		 非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-28 マキシム 統合製品 DS1225AD-200+ と DS1225Y-200+
DS1225AB-200IND
記憶力		 8KX8 非揮発性 SRAM モジュール, 200ns, PDMA28, 0.720 INCH, DIP-28 ロチェスター・エレクトロニクス DS1225AD-200+ と DS1225AB-200IND
DS1225Y-200
記憶力		 非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,0.720 INCH,DIP-28 マキシム 統合製品 DS1225AD-200+ と DS1225Y-200
DS1225AD-200
記憶力		 非揮発性 SRAM モジュール, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0.720 INCH, 拡張, DIP-28 ダラス・セミコンダクター DS1225AD-200+ と DS1225AD-200
DS1225AB-200IND+
記憶力		 非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,PDMA28,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-28 マキシム 統合製品 DS1225AD-200+ と DS1225AB-200IND+
BQ4010MA-200
記憶力		 8KX8 非揮発性 SRAM モジュール,200ns,DMA28,DIP-28 テキサス・インストラクション DS1225AD-200+ と BQ4010MA-200
BQ4010YMA-200
記憶力		 8KX8 非揮発性 SRAM モジュール,200ns,PDIP28 テキサス・インストラクション DS1225AD-200+ と BQ4010YMA-200
DS1225AB-200
記憶力		 8KX8 非揮発性 SRAM モジュール, 200ns, PDMA28, 0.720 INCH, DIP-28 ロチェスター・エレクトロニクス DS1225AD-200+ と DS1225AB-200
DS1225AB-200+
記憶力		 非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,PDMA28,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-28 マキシム 統合製品 DS1225AD-200+ と DS1225AB-200+
DS1225AD-200IND+
記憶力		 非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,PDMA28,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-28 マキシム 統合製品 DS1225AD-200+ と DS1225AD-200IND+

記述

NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリIC 64Kb (8K x 8) 平行200ns 28-EDIP
NVRAM 64k 非揮発性 SRAM
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC