IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

ブランド名 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
モデル番号 IS43LD16640A-25BL
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM - モバイルLPDDR2 記憶容量 1Gbit
記憶構成 64M x 16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 400 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 - 電圧 - 供給 1.14V ~ 1.95V
動作温度 0℃~85℃(TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 134-TFBGA 供給者のデバイスパッケージ 134-TFBGA (10x11.5)
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number Description
IS43LD16640C-25BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32320C-25BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16640C-25BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16160B-25BLI IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA
IS43LD16320A-25BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA
IS43LD32160A-25BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA
IS43LD16320A-25BLI IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA
IS43LD32160A-25BLI IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA
IS43LD16640C-18BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16640C-18BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32320C-25BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32640B-25BL-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16128B-25BL-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32320C-18BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32640B-18BL-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32640C-18BLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32640B-25BL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16128B-18BL-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16128C-18BLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16128B-25BL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32320C-18BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32640B-18BL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32640C-18BLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16128C-18BLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16128B-18BL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16640A-25BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32320A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32320A-25BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16640A-25BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16640A-25BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16640A-3BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16640A-3BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16640A-3BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16640A-3BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32320A-25BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32320A-25BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32320A-3BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32320A-3BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32320A-3BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32320A-3BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS46LD16640A-25BLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS46LD16640A-25BLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS46LD32320A-25BLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS46LD32320A-25BLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS46LD32320A-25BLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS46LD32320A-25BLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS46LD32320A-3BLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS46LD32320A-3BLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16128B-18BLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16128B-18BLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16128B-25BLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD16128B-25BLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32640B-18BLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32640B-18BLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32640B-25BLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS43LD32640B-25BLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IS46LD32640B-18BLA2 IC DRAM
IS46LD32640B-25BLA2-TR IC DRAM
IS46LD32640B-18BLA2-TR IC DRAM
IS46LD32640B-25BLA1 IC DRAM
IS46LD32640B-25BLA1-TR IC DRAM
IS46LD32640B-25BLA2 IC DRAM
IS46LD32640C-18BLA1 IC DRAM
IS46LD32640C-18BLA2-TR IC DRAM
IS46LD32640C-18BLA2 IC DRAM
IS46LD32640C-18BLA1-TR IC DRAM
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

特徴

● 標準電圧: VDD と VDDQ = 1.5V ± 0.075V
● 低電圧 (L): VDD と VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5Vまでバックコンパクト
● 高速データ転送速度
933 MHz まで
● 8 つの内部バンクが同時に動作する
● 8n ビットプリフェッチアーキテクチャ
● プログラム可能な CAS 遅延
● プログラム可能な添加遅延: 0,CL-1,CL-2
● プログラム可能なCAS WRITE レイテンシー (CWL)
● プログラム できる 爆発 長さ: 4 と 8
● プログラム できる 爆発 配列: 配列 や 交差 配列
● 瞬く間に BL を 切り替える
● 自動 更新 (ASR)
● 自発 更新 温度 (SRT)
● 更新 期間:
7.8 us (8192サイクル/64 ms) Tc=-40°Cから85°C
3.9 us (8192サイクル/32 ms) Tc= 85°Cから105°C
● 部分 配列 自動 更新
● アシンクロンな RESET ピン
● TDQS (Termination Data Strobe) がサポートされています (x8のみ)
●OCD (オフチップ ドライバー 阻害 調整)
● ダイナミック ODT (オン・ダイ・ターミネーション)
● ドライバーの強さ: RZQ/7,RZQ/6 (RZQ = 240)
● 書き込み の レベル
● DLL のオフ モード で 200 MHz まで
● 動作温度:
商業用 (TC=0°Cから+95°C)
工業用 (TC=-40°Cから+95°C)
自動車用,A1 (TC = -40°Cから+95°C)
自動車用 A2 (TC = -40°Cから+105°C)

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
タイプ DDR1
パッケージ トレイ 代替パッケージ
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 134-TFBGA
動作温度 0°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 1.14V~1.95V
供給者 デバイス パッケージ 134-TFBGA (10x11.5)
記憶容量 1G (64M x 16)
メモリタイプ モバイルLPDDR2SDRAM
スピード 400MHz
アクセス時間 2.5 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 + 85C
動作温度範囲 0 C
組織 64 M × 16
供給電流最大 40mA
データバスの幅 16ビット
供給電圧最大 1.95V
供給電圧-分 1.7V
パッケージケース BGA-134
最大 時計周波数 400 MHz

記述

SDRAM - モバイルLPDDR2メモリIC 1Gb (64M x 16) パラレル400MHz 134-TFBGA (10x11.5)
DRAM 1G 1.2/1.8V 64Mx16 400MHz 134ボール BGA