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CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA サイプレス半導体株式会社

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x商品の詳細
記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | SRAM |
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テクノロジー | SRAM - デュアルポート,同期 | 記憶容量 | 9Mbit |
記憶構成 | 256K X 36 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | 200 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
アクセス時間 | 3.3 ns | 電圧 - 供給 | 1.42V ~ 1.58V,1.7V ~ 1.9V |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 256-LBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 256-FBGA (17x17) |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number | Description | |
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CYD09S36V18-200BBXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD18S36V18-200BBAXI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD02S36V18-167BBC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD02S36V18-200BBC | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD02S36VA-167BBXC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD02S36VA-167BBC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S18V18-200BBXC | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S18V18-167BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD02S36V-167BBC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S18V18-200BBXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD02S36V18-200BBXC | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S72V18-167BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD18S18V18-200BBAXC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD18S18V18-167BBAXI | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYD18S18V18-200BBAXI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S72V18-200BBXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD18S72V18-167BBXI | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYD09S18V18-167BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S18V18-167BBXI | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S18V18-200BBXC | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S18V18-200BBXI | IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256LFBGA | |
CYD09S36V18-167BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S36V18-200BBXC | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S36V18-200BBXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S72V18-167BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S72V18-167BBXI | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S72V18-200BBXC | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S72V18-200BBXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S72V18-250BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 256FBGA | |
CYD18S72V18-167BBXC | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYD18S72V18-167BBXI | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYD18S72V18-200BBXC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD18S72V18-200BBXI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD18S72V18-250BBXC | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYD36S36V18-133BBXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD36S36V18-133BBXI | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD36S36V18-167BBXC | IC SRAM 36MBIT PAR 256FBGA | |
CYD36S36V18-167BBXI | IC SRAM 36MBIT PAR 256FBGA | |
CYD36S36V18-200BBXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYDD09S36V18-167BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYDD09S36V18-167BBXI | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYDD09S36V18-200BBXC | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYDD18S72V18-167BBXC | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYDD18S72V18-167BBXI | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYDD18S72V18-200BBXC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYDD18S36V18-167BBXC | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYDD18S36V18-167BBXI | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYDD18S36V18-200BBXC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD18S18V18-200BBAXC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD02S36V-167BBC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD02S36V-167BBXC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD02S36V18-200BBC | IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256FBGA | |
CYD04S18V-167BBC | IC SRAM 4.5MBIT PAR 256FBGA | |
CYD18S36V18-200BBAXI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD02S36V18-167BBC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD18S36V18-167BBAI | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYD02S36VA-167BBC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD02S36V18-200BBXC | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD02S36VA-167BBXC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA |
製品の説明
製品詳細
軸型鉛型精密レジスタ
ホルコの精密金属フィルムレジスタは,工業および軍事用アプリケーションのための経済的な価格のコンポーネントの要件を満たしています.製造施設は,金属合金フィルムをセラミック基板にスプッターコーティングを含む厳格に制御された生産プロセスを使用する.エポキシコーティングは環境保護と機械保護のために適用されます.商用では,2つのケースサイズで販売されています.1オームから4Mオーム,許容量は0.05%から1%とTCRは5ppm/°Cから100ppm/°C.Bs CECC40101 004,030および804にリリースされ,H8は配布を通じて入手できます.
主要 な 特徴
■ 超精度 - 0.05% まで■ 2ppm/°C に対応するセット
■ 高パルス に 耐える
■低反応性
■低TCR - 5ppm/°C まで
■ 長期的な安定性
■ 70°C で 1 ワット まで
■ CECC 40101 004,030 と 804 に 発行 さ れ た
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | サイパス半導体 |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | CYD09S36V18 |
タイプ | シンクロン |
パッケージ | トレー |
マウントスタイル | SMD/SMT |
パッケージケース | 256-LBGA |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V |
供給者 デバイス パッケージ | 256-FBGA (17x17) |
記憶容量 | 9M (256K x 36) |
メモリタイプ | SRAM - デュアルポート,同期 |
スピード | 200MHz |
データ・レート | SDR |
アクセス時間 | 3.3 ns |
フォーマットメモリ | RAM |
最大動作温度 | + 85C |
動作温度範囲 | - 40°C |
インターフェースタイプ | パラレル |
組織 | 256k x 36 |
供給電流最大 | 670 mA |
供給電圧最大 | 1.9V |
供給電圧-分 | 1.7V |
パッケージケース | FBGA-256 |
最大 時計周波数 | 200 MHz |
記述
SRAM - デュアルポート,同期メモリIC 9Mb (256K x 36) パラレル200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17)
SRAMチップシンクロ デュアル 1.8V 9M-ビット 256K x 36 9ns/5ns 256-ピン FBGA トレイ
SRAM 9MB (256Kx36) 1.8v 200MHz 同期 SRAM
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