CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA サイプレス半導体株式会社

ブランド名 Cypress Semiconductor Corp
モデル番号 CYD09S36V18-200BBXI
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット SRAM
テクノロジー SRAM - デュアルポート,同期 記憶容量 9Mbit
記憶構成 256K X 36 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 200 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい -
アクセス時間 3.3 ns 電圧 - 供給 1.42V ~ 1.58V,1.7V ~ 1.9V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 256-LBGA 供給者のデバイスパッケージ 256-FBGA (17x17)
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Part Number Description
CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD18S36V18-200BBAXI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD02S36V18-167BBC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD02S36V18-200BBC IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD02S36VA-167BBXC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD02S36VA-167BBC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S18V18-200BBXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S18V18-167BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD02S36V-167BBC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S18V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD02S36V18-200BBXC IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S72V18-167BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD18S18V18-200BBAXC IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD18S18V18-167BBAXI IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYD18S18V18-200BBAXI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S72V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD18S72V18-167BBXI IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYD09S18V18-167BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S18V18-167BBXI IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S18V18-200BBXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S18V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256LFBGA
CYD09S36V18-167BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S36V18-200BBXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S72V18-167BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S72V18-167BBXI IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S72V18-200BBXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S72V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S72V18-250BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 256FBGA
CYD18S72V18-167BBXC IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYD18S72V18-167BBXI IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYD18S72V18-200BBXC IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD18S72V18-200BBXI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD18S72V18-250BBXC IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYD36S36V18-133BBXC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD36S36V18-133BBXI IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD36S36V18-167BBXC IC SRAM 36MBIT PAR 256FBGA
CYD36S36V18-167BBXI IC SRAM 36MBIT PAR 256FBGA
CYD36S36V18-200BBXC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA
CYDD09S36V18-167BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYDD09S36V18-167BBXI IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYDD09S36V18-200BBXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYDD18S72V18-167BBXC IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYDD18S72V18-167BBXI IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYDD18S72V18-200BBXC IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYDD18S36V18-167BBXC IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYDD18S36V18-167BBXI IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYDD18S36V18-200BBXC IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD18S18V18-200BBAXC IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD02S36V-167BBC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD02S36V-167BBXC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD02S36V18-200BBC IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256FBGA
CYD04S18V-167BBC IC SRAM 4.5MBIT PAR 256FBGA
CYD18S36V18-200BBAXI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD02S36V18-167BBC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD18S36V18-167BBAI IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYD02S36VA-167BBC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD02S36V18-200BBXC IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD02S36VA-167BBXC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

軸型鉛型精密レジスタ

ホルコの精密金属フィルムレジスタは,工業および軍事用アプリケーションのための経済的な価格のコンポーネントの要件を満たしています.製造施設は,金属合金フィルムをセラミック基板にスプッターコーティングを含む厳格に制御された生産プロセスを使用する.エポキシコーティングは環境保護と機械保護のために適用されます.商用では,2つのケースサイズで販売されています.1オームから4Mオーム,許容量は0.05%から1%とTCRは5ppm/°Cから100ppm/°C.Bs CECC40101 004,030および804にリリースされ,H8は配布を通じて入手できます.

主要 な 特徴

■ 超精度 - 0.05% まで
■ 2ppm/°C に対応するセット
■ 高パルス に 耐える
■低反応性
■低TCR - 5ppm/°C まで
■ 長期的な安定性
■ 70°C で 1 ワット まで
■ CECC 40101 004,030 と 804 に 発行 さ れ た

仕様

属性 属性値
製造者 サイパス半導体
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ CYD09S36V18
タイプ シンクロン
パッケージ トレー
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 256-LBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V
供給者 デバイス パッケージ 256-FBGA (17x17)
記憶容量 9M (256K x 36)
メモリタイプ SRAM - デュアルポート,同期
スピード 200MHz
データ・レート SDR
アクセス時間 3.3 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 + 85C
動作温度範囲 - 40°C
インターフェースタイプ パラレル
組織 256k x 36
供給電流最大 670 mA
供給電圧最大 1.9V
供給電圧-分 1.7V
パッケージケース FBGA-256
最大 時計周波数 200 MHz

記述

SRAM - デュアルポート,同期メモリIC 9Mb (256K x 36) パラレル200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17)
SRAMチップシンクロ デュアル 1.8V 9M-ビット 256K x 36 9ns/5ns 256-ピン FBGA トレイ
SRAM 9MB (256Kx36) 1.8v 200MHz 同期 SRAM