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W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス

  • W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics
ブランド名 Winbond Electronics
モデル番号 W979H2KBVX2I
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
支払条件 T/T
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM - モバイルLPDDR2 記憶容量 512Mbit
記憶構成 16M x 32 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 400 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 - 電圧 - 供給 1.14V ~ 1.95V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 134-VFBGA 供給者のデバイスパッケージ 134-VFBGA (10x11.5)
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Part Number Description
W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I TR IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
W97AH2NBVA2I IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H6KBVX2E TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W979H2KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
MT42L128M32D2MH-25 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L128M32D2MH-3 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 AIT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 IT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

一般的な説明

W9712G6JBは128Mビット DDR2 SDRAMで 2つに分類されています097このデバイスは,一般的なアプリケーションのために1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) までの高速転送速度を達成する. W9712G6JBは,以下の速度グレードに分類されています: -18, -25,25I-18は,DDR2-1066 (7-7-7) 仕様に対応している.-25/25I/25Aは,DDR2-800 (5-5-5) またはDDR2-800 (6-6-6) 仕様に対応しています (25I工業グレードと25A自動車グレードは,保証されている -40°C ≤TCASE ≤95°Cに対応します)-3 は DDR2-667 (5-5-5) 仕様に対応しています

特徴

電源: VDD,VDDQ=1.8 V ±0.1 V
ダブルデータレートアーキテクチャ: 時計サイクルあたり2回のデータ転送
CAS 遅延: 3, 4, 5, 6 と 7
爆発長: 4 と 8
双方向の差分データストロブ (DQSとDQS) がデータと共に送信/受信されます
読み込みデータと縁を並べ,書き込みデータとセンターを並べ
DLL は DQ と DQS 移行をクロックと並べます
差点クロック入力 (CLKとCLK)
書き込みデータのためのデータマスク (DM)
各ポジティブな CLK エッジ,データ,データマスクに入力されたコマンドは,DQS の両方のエッジに参照されます.
コマンドとデータバスの効率化のためにサポートされるCASプログラム可能な添加遅延
読み込み遅延 = 加算遅延 + CAS遅延 (RL = AL + CL)
よりよい信号品質のためにオフチップ・ドライバインピーダンスの調整 (OCD) とオン・ダイ・ターミネーション (ODT)
読み書きバーストの自動前充電操作
オートリフレッシュとセルフリフレッシュモード
前充電電源オフとアクティブ電源オフ
データマスクを書く
書き込み遅延 = 読み込み遅延 - 1 (WL = RL - 1)
インターフェース:SSTL_18
WBGA 84 ボール (8X12.5 mm) でパッケージ2RoHS に準拠する無鉛材料を使用する

仕様

属性 属性値
製造者 ウィンボンド電子
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレー
パッケージケース 134-VFBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 1.14V~1.95V
供給者 デバイス パッケージ 134-VFBGA (10x11.5)
記憶容量 512M (16M x 32)
メモリタイプ モバイルLPDDR2SDRAM
スピード 400MHz
フォーマットメモリ RAM

記述

SDRAM - モバイルLPDDR2メモリIC 512Mb (16M x 32) パラレル400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
高速SDRAM,533MHzまでクロックレート,4つの内部バンク
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC