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MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

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x商品の詳細
記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
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テクノロジー | SDRAM - DDR2 | 記憶容量 | 2Gbit |
記憶構成 | 128M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | 400 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
アクセス時間 | 400 ps | 電圧 - 供給 | 1.7V~1.9V |
動作温度 | 0°C | 85°C (TC) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 84-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 84-FBGA (9x12.5) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT47H128M16RT-25E:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E IT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E IT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
IS43DR16640B-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
MT47H128M16RT-25E AIT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3:E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E IT:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E IT:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E L:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E L:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 IT:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 IT:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 L:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 L:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-3:F | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-3:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-187E:G | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
MT47H32M16HR-25E AAT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-25E IT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-25E L:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-187E:H | IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E AAT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E AIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E L:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 AAT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 AIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47R64M16HR-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47R64M16HR-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47R64M16HR-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-25E IT:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E IT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3 IT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-3:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16PK-25E IT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HR-25E AIT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HW-25E IT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HW-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HW-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HW-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E AAT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E XIT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H64M16HR-25E XIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA |
製品の説明
製品詳細
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 32 メガ × 4 × 8 バンクMT47H128M8 16 メグ × 8 × 8 банки
MT47H64M16 8 メグ × 16 × 8 банки
特徴
VDD = 1.8V ±0.1V,VDDQ = 1.8V ±0.1VJEDEC標準 1.8V I/O (SSTL_18対応)
差分データストロブ (DQS,DQS#) オプション
• 4nビットプリフェッチアーキテクチャ
• x8 のための複製出力ストロブ (RDQS) オプション
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 8つの内部バンクが同時に運用される
プログラム可能なCAS遅延 (CL)
• CAS 添加物 レイテンシー (AL)
• WRITE レイテンシー = READ レイテンシー - 1 tCK
• 選択可能なバースト長 (BL): 4 か 8
• 調整可能なデータ出力駆動強度
• 64ms, 8192サイクルリフレッシュ
• 死亡時に終了 (ODT)
■工業温度 (IT) オプション
自動車温度 (AT) オプション
• RoHS 準拠
• JEDECクロックジッター仕様に対応
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | - |
パッケージ | テープ&ロール (TR) 代替包装 |
パッケージケース | 84-TFBGA |
動作温度 | 0°C ~ 85°C (TC) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 1.7V~1.9V |
供給者 デバイス パッケージ | 84-FBGA (9x12.5) |
記憶容量 | 2G (128M x 16) |
メモリタイプ | DDR2 SDRAM |
スピード | 2.5ns |
フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAM - DDR2メモリIC 2Gb (128M x 16) パラレル 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)
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