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71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

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x商品の詳細
記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | SRAM |
---|---|---|---|
テクノロジー | SRAM -非同期 | 記憶容量 | 4Mbit |
記憶構成 | 512K X 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 10ns |
アクセス時間 | 10 ns | 電圧 - 供給 | 3V~3.6V |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 36-BSOJ (0.400"、10.16mmの幅) | 供給者のデバイスパッケージ | 36-SOJ |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number | Description | |
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71V424S10YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
71V424S10YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
71V424S15YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IS61WV5128BLL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IS61C5128AL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IS61WV5128EDBLL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IS61WV5128BLL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
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IS61LV5128AL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IS61LV5128AL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IS61WV2568EDBLL-10KLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IS61LV2568L-10KLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IS61LV2568L-10KLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IS61LV5128AL-10K | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IS61LV5128AL-10K-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
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71V424L12YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
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71V424S12YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
71V424S12YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
71V424S12YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
71V424S12YGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
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71V424S15YGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IDT71V424S15YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IDT71V424S15YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
IDT71V424YS12Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
製品の説明
製品詳細
記述
IDT71V424は4号機で194512K x 8 で組織された 304 ビット高速静的RAM. これは,IDTの高性能,高信頼性のCMOS技術を使用して製造されています. この最先端技術,革新的な回路設計技術と組み合わせた高速メモリの需要に対して費用対効果の高いソリューションを提供します.
特徴
◆512K x 8 高速 CMOS スタンティック RAM◆JEDECセンター パワー/GND ピンアウト 低騒音
◆平等なアクセスとサイクルの時間
商業・産業: 10/12/15ns
◆単一 3.3V 電源
◆1つのチップ選択+1つの出力有効ピン
◆TTLに直接対応する二方向データ入力と出力
◆チップの切除により低電力消費
◆36ピン400mlのプラスチック製SOJパッケージと44ピン400mlのTSOPパッケージで提供されています.
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | 統合回路システム |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | 71V424 |
タイプ | アシンクロン |
パッケージ | 代替包装 |
マウントスタイル | SMD/SMT |
パッケージケース | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm 幅) |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 3V~3.6V |
供給者 デバイス パッケージ | 36-SOJ |
記憶容量 | 4M (512K x 8) |
メモリタイプ | SRAM - アシンクロン |
スピード | 10ns |
アクセス時間 | 10 ns |
フォーマットメモリ | RAM |
最大動作温度 | +70°C |
動作温度範囲 | 0 C |
インターフェースタイプ | パラレル |
組織 | 512k x 8 |
供給電流最大 | 180 mA |
パート#アリアス | 71V424 IDT71V424S10YG8 |
供給電圧最大 | 3.6V |
供給電圧-分 | 3V |
パッケージケース | SOJ-36 |
製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
K6R4008V1B-JC10 記憶力 |
標準SRAM,512KX8,10ns,CMOS,PDSO36,0.400インチ,プラスティック,SOJ-36 | サムスン半導体 | 71V424S10YG8 対 K6R4008V1B-JC10 |
71V424L10YGI8 記憶力 |
SOJ-36 リール | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V424S10YG8 対 71V424L10YGI8 |
AS7C34096A-10JCN 記憶力 |
標準 SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 インチ,リードフリー,SOJ-36 | アライアンスメモリー | 71V424S10YG8対AS7C34096A-10JCN |
71V424S10YGI8 記憶力 |
SOJ-36 リール | インテグレテッド デバイス テクノロジー インク | 71V424S10YG8 対 71V424S10YGI8 |
IS61LV5128AL-10KLI 記憶力 |
標準 SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 インチ,鉛のない,プラスティック,MS-027,SOJ-36 | 統合シリコンソリューション株式会社 | 71V424S10YG8 対 IS61LV5128AL-10KLI |
AS7C34096A-10JIN 記憶力 |
標準 SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 インチ,リードフリー,SOJ-36 | アライアンスメモリー | 71V424S10YG8 vs AS7C34096A-10JIN |
AS7C34096A-10JI 記憶力 |
標準 SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36 | アライアンスメモリー | 71V424S10YG8 VS AS7C34096A-10JI |
記述
SRAM - アシンクロンメモリIC 4Mb (512K x 8) パラレル 10ns 36-SOJ
SRAM 512Kx8 アシンクロノス 3.3V CMOS SRAM
推薦されたプロダクト