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W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス
| ブランド名 | Winbond Electronics |
|---|---|
| モデル番号 | W949D2DBJX5I |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM -移動式LPDDR | 記憶容量 | 512Mbit |
| 記憶構成 | 16M x 32 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 200 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | 5 ns | 電圧 - 供給 | 1.7V | 1.95V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 90-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 90-VFBGA （8x13） |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W949D2DBJX5I | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D2FBJX5E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D2FBJX5E | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W947D2HBJX6E TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W987D2HBJX7E TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W949D2DBJX5I TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W949D2DBJX5E TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W949D2DBJX5E | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W947D2HBJX6E | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W987D2HBJX7E | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W989D2DBJX6I TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W989D2DBJX6I | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W9864G2JB-6 TR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
| W9864G2JB-6I TR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
| W94AD2KBJX5E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| W94AD2KBJX5I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| W9812G2KB-6 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
| W9812G2KB-6I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
| W94AD2KBJX5E | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| W94AD2KBJX5I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| W9864G2JB-6 | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
| W9864G2JB-6I | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
| W9812G2KB-6 | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
| W9812G2KB-6I | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
| W947D2HBJX5E | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W947D2HBJX5I | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D2FBJX5I | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D2FBJX6E | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W987D2HBJX6E | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W987D2HBJX6I | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W988D2FBJX6E | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W988D2FBJX6I | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W988D2FBJX7E | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W9825G2JB-6 | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
| W9825G2JB-6I | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
| W9825G2JB-75 | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
| W947D2HBJX5E TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W947D2HBJX5I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D2FBJX5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D2FBJX6E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W9825G2JB-6 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
| W9825G2JB-6I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
| W9825G2JB-75 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
| W987D2HBJX6E TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W987D2HBJX6I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W988D2FBJX6E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W988D2FBJX6I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W988D2FBJX7E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
製品の説明
製品詳細
一般的な説明
W9425G6DHは,CMOSのダブルデータレート同期ダイナミックランダムアクセスメモリ (DDR SDRAM) で,4つに分かれています.194W9425G6DHはパイプライン構造と0.11μmプロセスの技術を使用して,毎秒最大500M語 (-4) のデータ帯域幅を提供します.パーソナルコンピュータの産業標準を完全に遵守する, W9425G6DHは,4つの速度グレードに分類されている: -4, -5, -6および -75. -4はDDR500/CL3仕様に対応している. -5はDDR400/CL3仕様に対応している.-6はDDR333/CL2に対応しています.5 仕様 (保証される -40°C~85°Cに対応する -6I グレード). -75 は DDR266/CL2 仕様 (保証される -40°C~85°Cに対応する 75I グレード) に適合する.
特徴
• DDR266/DDR333用の2.5V ±0.2V電源DDR400/DDR500用の2.6V ±0.1V電源
• 250 MHz まで の 時計 周波数
• ダブルデータレートアーキテクチャ,クロックサイクルあたり2回のデータ転送
• 差点クロック入力 (CLKとCLK)
• DQS は,読み取りのデータと縁を並べ,書き込みのデータと中心を並べます
• CAS 遅延: 2,2,5 と 3
• 噴出長: 2, 4 と 8
• 自動 更新 と 自己 更新
• 前充電電源停止とアクティブ電源停止
• データマスクを書く
• 遅延 = 1 と書く
• 7.8μS のリフレッシュ間隔 (8K / 64 mS のリフレッシュ)
• 最大 フレッシュ リフレッシュ サイクル: 8
インターフェース:SSTL_2
• TSOP II 66ピン, 400 ミリ, 0.65 mm ピッチで梱包され,Pb を使用し,RoHS に準拠しています
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ウィンボンド電子 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| パッケージケース | 90TFBGA |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.7V~1.95V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 90VFBGA (8x13) |
| 記憶容量 | 512M (16M x 32) |
| メモリタイプ | 移動型LPDDR SDRAM |
| スピード | 200MHz |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAM - モバイルLPDDRメモリIC 512Mb (16M x 32) パラレル200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
DRAM チップ モバイル LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90ピン VFBGA
推薦されたプロダクト
