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IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| ブランド名 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| モデル番号 | IS43R16160F-6BLI |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM - DDR | 記憶容量 | 256Mbit |
| 記憶構成 | 16M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 166 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | 700 ps | 電圧 - 供給 | 2.3V | 2.7V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 60-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 60-TFBGA （8x13） |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS43R16160F-6BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160F-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160F-5BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160F-5BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160F-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160F-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160F-5BL | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160F-5BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160F-6BLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-5BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160F-6BLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-5BL | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160F-6BLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-5BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160D-6BLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-6BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160F-6BLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160D-5BLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-5BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160D-6BLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400D-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160D-5BLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160D-6BLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400D-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400D-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160D-6BLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400D-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400D-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400D-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400D-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320D-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R86400D-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400D-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320D-5BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320D-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R86400D-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320D-5BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320D-6BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320D-6BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA |
製品の説明
製品詳細
特徴
標準電圧: VDD と VDDQ = 1.5V ± 0.075V低電圧 (L): VDD と VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5Vまでバックコンパクト
• 933 MHz まで の システム 周波数 で 高速 データ 転送 速さ
• 8つの内部バンクが同時に運用される
• 8n-Bit プリフェッチ アーキテクチャ
• プログラム可能なCAS遅延
• プログラム可能な添加遅延: 0 CL-1,CL-2
• プログラム可能なCAS WRITE レイテンシー (CWL)
• プログラム可能な爆発長: 4 と 8
• プログラム できる 爆発 の 順序: 順序 的 か 間接 的
• 瞬時に BL を 切り替える
•自動自動更新 (ASR)
• 自動更新温度 (SRT)
• リフレッシュ インターバル:
7.8 us (8192サイクル/64 ms) Tc=-40°Cから85°C
3.9 us (8192サイクル/32 ms) Tc= 85°Cから105°C
• 部分 の 配列 自己 更新
• アシンクロン リセットピン
• TDQS (Termination Data Strobe) がサポートされています (x8のみ)
• OCD (オフチップドライバー阻害調整)
• ダイナミック ODT (オン・ダイ・ターミネーション)
ドライバ強度: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• 書き直し
• DLL のオフ モード で 200 MHz まで
• 動作温度:
商業用 (TC=0°Cから+95°C)
工業用 (TC=-40°Cから+95°C)
自動車用,A1 (TC = -40°Cから+95°C)
自動車用 A2 (TC = -40°Cから+105°C)
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ISSI |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| パッケージケース | 60TFBGA |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 2.3V~2.7V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 60TFBGA (8x13) |
| 記憶容量 | 256M (16M x 16) |
| メモリタイプ | DDR SDRAM |
| スピード | 166MHz |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAM - DDRメモリ IC 256Mb (16M x 16) パラレル 166MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAMチップ DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60ピン TFBGA
DRAM 256M 2.5V DDR 16Mx16 166MHz
推薦されたプロダクト
