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MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC フラッシュ RAM 4GBIT PAR 168WFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| ブランド名 | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| モデル番号 | MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発性のない 揮発性 | 記憶フォーマット | フラッシュ、RAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | FLASH - NAND,モバイルLPDRAM | 記憶容量 | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDRAM) |
| 記憶構成 | 256M x 16 (NAND), 128M x 16 (LPDRAM) | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 208 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
| アクセス時間 | - | 電圧 - 供給 | 1.7V | 1.95V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 168-WFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 168-WFBGA (12x12) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 IT:A | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 WT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 WT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-5 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-6 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 WT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 IT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 WT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 IT:C | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 WT:C | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| MT42L16M32D1LG-25 AAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| MT42L16M32D1LG-25 FAAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDB2432BCPA-8D-F-D | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB2432BCPE-8D-F-D | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DAAT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DIT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDBA232B2PF-1D-F-D | IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA | |
| EDB1332BDPA-1D-F-D | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDBA232B2PF-1D-F-R TR | IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA | |
| EDB5432BEPA-1DIT-F-R | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA |
製品の説明
製品詳細
一般説明
Micron NAND Flashデバイスには,高性能 I/O 操作のための非同期データインターフェイスが含まれています.これらのデバイスは,コマンド,アドレス,データを転送するために高度にマルチプレックスされた 8 ビットバス (I/Ox) を使用します.5つの制御信号がアシンクロンデータインターフェースを実装するために使用されていますCE#,CLE,ALE,WE#,RE#.追加の信号はハードウェア制御,書き込み保護,デバイスの状態の監視 (R/B#).このハードウェアインターフェイスは,低ピン数デバイスを製造し,標準的なピンアウトが1つの密度から別の密度まで同じであり,ボードの再設計なしで将来的により高い密度へのアップグレードを可能にします.
ターゲット (target) は,チップの有効信号がアクセスするメモリ単位である.ターゲットには1つ以上のNAND Flash ドライが含まれている.NAND Flash ドライは,コマンドを独立して実行し,状態を報告できる最小単位です.. NAND Flash ダイは,ONFI 仕様では,論理単位 (LUN) と呼ばれる.チップ有効信号ごとに少なくとも 1 つの NAND Flash ダイがあります.詳細については,デバイスと配列の組織を参照.
このデバイスは,GET/SET機能を使用して有効にできる内部4ビットECCを持っています.
詳細については,ECCの内部ECCとスペアエリアマッピングを参照してください.
特徴
• オープン NAND フラッシュ インターフェイス (ONFI) 1.0対応1• 単層セル (SLC) テクノロジー
• 組織
ページサイズ x8: 2112バイト (2048 + 64バイト)
ページサイズ x16: 1056文字 (1024 + 32文字)
ブロックサイズ: 64ページ (128K + 4Kバイト)
飛行機の大きさ: 2つの飛行機 × 2048個のブロック
デバイスサイズ: 4Gb: 4096ブロック; 8Gb: 8192ブロック 16Gb: 16,384ブロック
• アシンクロン I/O 性能
TRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
• 配列の性能
ページを読む: 25μs 3
プログラムページ: 200μs (タイプ:1.8V,3.3V)
消去ブロック: 700μs (TYP)
• コマンドセット: ONFI NAND フラッシュ プロトコル
• 高度なコマンドセット
プログラムページキャッシュモード4
ページキャッシュモード 4 を読み
一回プログラム可能な (OTP) モード
2つの飛行機のコマンド 4
インターリーブド・ダイ (LUN) 操作
単一のIDを読み取れる
ブロックロック (1.8Vのみ)
内部データ移動
動作状態のバイトは,ソフトウェアによる検出方法を提供します.
操作の完了
合格/不合格条件
書き込み保護状態
準備/忙しい# (R/B#) シグナルは,動作完了を検出するハードウェア方法を提供します.
• WP# 信号: デバイス全体を保護する
・最初のブロック (ブロックアドレス00h) は,ECCで工場から出荷した場合に有効です.最低必要なECCについては,エラー管理を参照してください.
ブロック0は,プログラム/消去サイクルが1000未満である場合,1ビットECCが必要です.
オンした後で最初のコマンドとして RESET (FFh) が必要です.
• 起動後,デバイスの初期化 (Nand_In it) の代替方法 (コンタクトファクトリー)
• データを読み取っている平面内でサポートされる内部データ移動操作
• 品質と信頼性
データの保存: 10年
耐久性: 100,000 プログラム/消去 サイクル
• 稼働電圧範囲
VCC:2.7V3.6V
VCC:1.7V1.95V
• 動作温度:
商業用: 0°Cから+70°C
産業用 (IT): 40°Cから+85°C
• パッケージ
48ピンのTSOPタイプ1,CPL2
63ボールのVFBGA
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| カテゴリー | PMIC - パワーマネジメント - 専門 |
| 製造者 | ディオード組み込み |
| シリーズ | - |
| 部分の地位 | 最後の買い物 |
| 申請 | 熱調節器 |
| 電流供給 | - |
| 電圧供給 | 4V~5.5V |
| 動作温度 | -20°C ~ 85°C (TA) |
記述
FLASH - NAND,モバイルLPDRAMメモリIC 4Gb (256M x 16) ((NAND), 2G (128M x 16) ((LPDRAM) 平行208MHz
NAND フラッシュとモバイル LPDDR PoP
推薦されたプロダクト
