S29GL064S70TFI040 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP インフィニオン・テクノロジーズ

一般説明

S29GL-Nファミリーデバイスは110nmミラービット技術を使用して製造された3.0ボルト単電源フラッシュメモリである.S29GL064Nは4つに分類された64Mbデバイスである.194304語か8語か388S29GL032Nは 32MBのデバイスで 2つに分かれています097152語か4語か194,304バイト.モデル番号に応じて,デバイスは16ビット幅のデータバスのみ,またはByte#入力を使用して8ビット幅のデータバスとしても機能できる16ビット幅のデータバスを持っています.デバイスはホストシステムまたは標準EPROMプログラマーでプログラムすることができます.

特徴

建築 の 利点
■ 単一電源の操作
■ 110nm ミラービット プロセス技術で製造
■ シリコンセクターの地域
文字128字/バイト256字のセクターは,コマンドシーケンスでアクセス可能な8文字/16バイトのランダム電子シリアル番号を通じて,永久かつ安全な識別のために
工場や顧客によってプログラムされ,ロックされます
■ 柔軟な部門構造
64Mb (統一セクターモデル):128 32 Kword (64 KB) セクター
64 Mb (ブートセクターモデル):122 Kword (64 KB) セクター + 8 4Kword (8KB) ブートセクター
32 Mb (統一セクターモデル): 64KWord (64 KB) の 64 つのセクター
32 Mb (ブートセクターモデル): 63 32Kword (64 KB) セクター + 8 4Kword (8 KB) ブートセクター
■ 汎用性/OTM制御の強化
すべての入力レベル (アドレス,制御,DQ入力レベル) と出力は,VIO入力上の電圧によって決定されます.VIO範囲は1.65からVCCです.
■ JEDEC 規格との互換性
単一の電源フラッシュのピノートとソフトウェア互換性,および優れた無意識の書き込み保護を提供します
■ 業界ごとに10万回の消去サイクル
■ 20 年間のデータ保存

性能特性

■ 高性能
90 ns アクセス時間
8語/16バイトのページ読み込みバッファ
ページを読む時間 25 ns
16語/32バイトの書き込みバッファで,複数の単語更新のプログラム時間が短くなる

■ 低電力消費

25 mA 典型的な初期読み込み電流,1 mA 典型的なページ読み込み電流
50 mA 典型的な消去電流/プログラム電流
スタンドバイモードの典型的な電流は1μA
■ パッケージオプション
48ピンのTSOP
56ピンのTSOP
64ボール 強化BGA
48ボール 細角 BGA

ソフトウェアとハードウェアの特徴

■ ソフトウェアの特徴
強化された部門保護:持続的な部門保護とパスワード部門保護を提供しています
プログラム停止と再開: プログラム操作が完了する前に他のセクターを読み取ります
削除 停止&再開:削除処理が完了する前に他のセクターを読み/プログラムする
データ#投票とタグリングビットが状態を表示します
CFI (Common Flash Interface) に準拠する:ホストシステムが複数のフラッシュデバイスを識別し,対応できるようにする
鍵を解除 バイパス プログラム コマンドは,複数単語のプログラミング時間を削減します
■ ハードウェアの特徴
◎WP#/ACC入力により,システム生産中により大きなスループットを得るため,プログラミング時間が加速します.統一セクターモデル上のセクター保護設定に関係なく,最初のセクターまたは最後のセクターを保護します.
ハードウェアリセット入力 (RESET#) リセットデバイス
準備/忙しい#出力 (RY/BY#) プログラムまたは消去サイクル完了を検出