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W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA ウィンボンドエレクトロニクス
| ブランド名 | Winbond Electronics |
|---|---|
| モデル番号 | W9725G6KB-25 TR |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM - DDR2 | 記憶容量 | 256Mbit |
| 記憶構成 | 16M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 400 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | 400 ps | 電圧 - 供給 | 1.7V~1.9V |
| 動作温度 | 0°C | 85°C （TC） | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 84-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 84-WBGA (8x12.5) |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W9725G6KB-25 TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6NB-25 TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA | |
| W9725G6KB-25 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6NB-25 | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA | |
| W972GG6KB-25 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6NB-18 | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA | |
| W971GG6NB25I | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA | |
| W9712G6KB-25 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA | |
| W9712G6KB-25 | IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA | |
| W9712G6KB25I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA | |
| W9712G6KB25I | IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA | |
| W9725G6KB-18 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84WBGA | |
| W9725G6KB25I TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9725G6KB-18 | IC DRAM 256MBIT PAR 84WBGA | |
| W9725G6KB25I | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6NB-18 TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA | |
| W971GG6NB25I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA | |
| W972GG6KB-25 TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W972GG6KB-18 TR | IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA | |
| W972GG6KB-18 | IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA | |
| W972GG6KB25I TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W972GG6KB25I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9725G6IB-25 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9751G6IB-25 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9751G6KB-25 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9725G6JB25I | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6KB-18 | IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA | |
| W971GG6KB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6KB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9751G6KB-18 | IC DRAM 512MBIT PAR 84WBGA | |
| W9751G6KB25I | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6SB-18 | IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA | |
| W971GG6SB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6SB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6KB-18 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA | |
| W971GG6KB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6KB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6SB-18 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA | |
| W971GG6SB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9751G6KB-18 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84WBGA | |
| W9751G6KB25I TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W972GG8KB-18 | IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA | |
| W972GG8KB25I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W972GG8KB-25 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9751G6KB-25 TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6SB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA |
製品の説明
製品詳細
一般的な説明
W9725G6JBは 256Mビット DDR2 SDRAMで 4つに分類されています194このデバイスは,さまざまなアプリケーションのために1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) まで高速転送速度を達成する. W9725G6JBは以下の速度グレードに分類されています: -18, -25,25I,25A,25K,−3. -18グレードの部品は,DDR2-1066 (7-7-7) 仕様に対応しています.-25/25I/25A/25Kグレードの部品は,DDR2-800 (5-5-5) またはDDR2-800 (6-6-6) 仕様に適合している (25I工業グレードの部品は,保証される -40°C ≤ TCASE ≤ 95°Cに対応する)-3グレードの部品は DDR2-667 (5-5-5) 仕様に対応しています
特徴
電源: VDD,VDDQ = 1.8V ± 0.1V• ダブルデータレートアーキテクチャ: 時計サイクルあたり2回のデータ転送
• CAS 遅延: 3, 4, 5, 6 と 7
• 噴出 長さ: 4 と 8
• 双方向の差分データストロブ (DQSとDQS) がデータと共に送信/受信されます
• 読み込みデータと縁並べ,書き込みデータとセンター並べ
• DLL は DQ と DQS の 移行 を 時計 に 合わせる
• 差点クロック入力 (CLKとCLK)
• 書き込みデータのためのデータマスク (DM)
• 各ポジティブな CLK エッジ,データ,データマスクに入力されたコマンドは,DQS の両方のエッジに参照されます.
• コマンドとデータバスの効率化のためにサポートされているプログラム可能なCAS添加物遅延
読み込み遅延 = 加算遅延 + CAS遅延 (RL = AL + CL)
• より良い信号品質のためにオフチップ・ドライバインペダンス調整 (OCD) とオン・ダイ・ターミネーション (ODT)
• 読み書きのフレッシュのための自動前充電操作
• オートリフレッシュとセルフリフレッシュモード
• 前充電電源停止とアクティブ電源停止
• データマスクを書く
• 書き込み遅延 = 読み込み遅延 - 1 (WL = RL - 1)
インターフェース:SSTL_18
• WBGA 84 ボール (8X12.5 mm2) で包装され,RoHS に準拠する鉛のない材料を使用
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ウィンボンド電子 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) 代替包装 |
| パッケージケース | 84-TFBGA |
| 動作温度 | 0°C ~ 85°C (TC) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.7V~1.9V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 84-WBGA (8x12.5) |
| 記憶容量 | 256M (16M x 16) |
| メモリタイプ | DDR2 SDRAM |
| スピード | 2.5ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
メモリIC 84-WBGA (8x12.5)
DRAMチップ DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84ピンWBGA
推薦されたプロダクト
