すべての製品
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II アライアンスメモリー,インク
| ブランド名 | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| モデル番号 | AS4C2M32SA-6TCN |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
試供品およびクーポンのための私に連絡しなさい。
Whatsapp:0086 18588475571
微信: 0086 18588475571
スカイプ: sales10@aixton.com
心配があれば、私達は24時間のオンライン・ヘルプを提供する。
x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM | 記憶容量 | 64Mbit |
| 記憶構成 | 2M × 32 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 166 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 2ns |
| アクセス時間 | 5.5 ns | 電圧 - 供給 | 3V~3.6V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 86-TFSOP （0.400"、10.16mmの幅） | 供給者のデバイスパッケージ | 86-TSOP II |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C2M32SA-6TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-7TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TIN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C16M32SC-7TIN | IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-7TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-7TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-7TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TINTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TIN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-7TCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-6TINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-7TCN | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-6TIN | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C16M32SC-7TINTR | IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-7TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-7TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-7TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-7TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TIN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TIN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-5TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TINTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-5TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC4M32B2TG-6A IT:L | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC4M32B2TG-6A:L | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II |
製品の説明
製品詳細
機能説明
AS4C256K16E0は,高性能4メガビットCMOSダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM) で,262,144文字×16ビットに分類されています.AS4C256K16E0は,高度なCMOS技術で製造され,高速な結果をもたらす革新的な設計技術で設計されています部品やシステムレベルでは非常に低電力で,大きな稼働利益を得ることができます.
特徴
• 組織: 262,144 文字 × 16 ビット• 高速
- 30/35/50 ns RAS アクセス 時間
- 16/18/25 ns 列アドレス アクセス 時間は
- 7/10/10/10 ns CAS アクセス 時間
• 低電力消費
- アクティブ:最大500mW (AS4C256K16E0-25)
スタンバイ:最大3.6mW CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)
• EDOページモード
• 爽快 な 気分 を 味わう
- 512 更新サイクル, 8 ms の更新間隔
- RASのみまたはCAS前RAS更新または自己更新
- 自動更新オプションは,新しい世代のデバイスのみに使用できます. 詳細については,アライアンスと連絡してください.
• 読み取り,変更,書き込み
• TTL対応の3つの状態のI/O
• JEDEC 標準パッケージ
- 400ミリ,40ピンのSOJ
- 400ミリ,40/44ピンのTSOPII
5V 電源
切断電流 > 200 mA
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | アライアンス・メモリー |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレー |
| パッケージケース | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm 幅) |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 3V~3.6V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 86-TSOPII |
| 記憶容量 | 64M (2M x 32) |
| メモリタイプ | SDRAM |
| スピード | 166MHz |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAMメモリIC 64Mb (2M x 32) パラレル 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
DRAM SDRAM 64M3.3V 166MHz,2M × 32
推薦されたプロダクト
