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IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR3 |
MB85RC64APNF-G-JNERE1 IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOP カガ FEI アメリカ,インク
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | 前方 |
| テクノロジー: | FRAM （Ferroelectric RAM） |
IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
AT24C64D-MAHM-T IC EEPROM 64KBIT I2C 8MINI MAP マイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
MTFC64GJVDN-3M WT TR IC FLASH 512GBIT MMC 169LFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR4 |
IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | ドラム |