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TH58NVG3S0HTAI0 ICフラッシュ 8GBIT PARALLEL 48TSOP I キオキシア・アメリカ,インク
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積（SLC） |
CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALLEL 144TQFP サイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,同期 |
S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA サイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP カガFEI アメリカ,インク
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | 前方 |
| テクノロジー: | FRAM （Ferroelectric RAM） |
AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |
AS7C4096A-12JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
MT29F1T08CPCABH8-6:A IC FLASH 1TB PARALLEL 166MHZ マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
MT47H128M4BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |
RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM |
CY62128EV30LL-45ZAXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |