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AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA アライアンスメモリー,インク

  • AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Alliance Memory, Inc.
ブランド名 Alliance Memory, Inc.
モデル番号 AS4C64M8D2-25BIN
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM - DDR2 記憶容量 512Mbit
記憶構成 64M x 8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 400 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 400 ps 電圧 - 供給 1.7V~1.9V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 60-TFBGA 供給者のデバイスパッケージ 60-FBGA （8x10）
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number Description
AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C128M8D2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C128M8D2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M8D2-25BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M8D2-25BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M8D2-25BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C128M8D2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M8D2-25BANTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C128M8D2A-25BINTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M8D2-25BAN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C256M8D2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C256M8D2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C256M8D2-25BINTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C256M8D2-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C128MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C128M8D2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C128M8D2-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C128M8D2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C128M8D2-25BINTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M16MD1-6BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M16MD1-6BINTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M16MD1-6BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M16MD1-6BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M16MD1-5BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M16MD1-5BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M16MD1-5BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M16MD1-5BINTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

仕様

属性 属性値
製造者 アライアンス・メモリー
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレイ 代替パッケージ
パッケージケース 60TFBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 1.7V~1.9V
供給者 デバイス パッケージ 60FBGA (8x10)
記憶容量 512M (64M x 8)
メモリタイプ DDR2 SDRAM
スピード 400MHz
フォーマットメモリ RAM

記述

SDRAM - DDR2 メモリIC 512Mb (64M x 8) パラレル 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC