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S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA サイプレス半導体株式会社
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | フラッシュ |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | フラッシュ- | 記憶容量 | 128Mbit |
| 記憶構成 | 8M×16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 60ns |
| アクセス時間 | 60 ns | 電圧 - 供給 | 2.7V~3.6V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 80-VFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 80FBGA (8x11) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| S29PL127J60BFI040 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56FBGA | |
| S29PL127J60BAI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J80BFI010 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BFA040 | IC FLASH 128MBIT CFI 80FBGA | |
| S29PL127J60BFI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J70BFI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J70BAI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BAW002 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J70BAI003 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BFI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J70BFI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J80BFI010 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BAE000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BAW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BAW003 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J65BAI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J65BAI002 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J65BAW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J65BFW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J70BAW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J70BFI003 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BAI000E | IC FLASH NOR 80FBGA | |
| S29PL127J60BFI000E | IC FLASH NOR 80FBGA | |
| S29PL127J60BFID00E | IC FLASH NOR 80FBGA | |
| S29PL127J70BFI000E | IC FLASH NOR 80FBGA | |
| S29PL127J60BAI000A | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BFI000A | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA |
製品の説明
製品詳細
一般的な説明
Am27S29 (512文字×8ビット) は,ショットキー TTL プログラム可能な読み取りのみメモリ (PROM) である.
特徴性
● 高速● 高度 の 信頼性 と 超 速い プログラム 可能な プラチナ-シリシド ファイューズ
● プログラム の 生産 性 が 高く
● 低電流PNP入力
● 高電流 オープン コレクター と 三 状態 出力 迅速 チップ 選択
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | サイパス半導体 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | PL-J |
| パッケージ | トレー |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| 動作温度範囲 | -40°Cから+85°C |
| パッケージケース | * |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 2.7V~3.6V |
| 供給者 デバイス パッケージ | * |
| 記憶容量 | 128M (8M x 16) |
| メモリタイプ | FLASH - NOR |
| スピード | 60ns |
| 建築 | セクター |
| フォーマットメモリ | フラッシュ |
| スタンダード | 共通フラッシュインターフェイス (CFI) |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 8 M × 16 |
| 供給電流最大 | 55 mA |
| データバスの幅 | 16ビット |
| 供給電圧最大 | 3.6V |
| 供給電圧-分 | 2.7V |
| パッケージケース | FBGA-80 |
| タイムタイプ | アシンクロン |
記述
FLASH - NOR メモリIC 128Mb (8M x 16) パラレル60ns 80-FBGA (8x11)
NOR フラッシュ パラレル 3V/3.3V 128M ビット 8M x 16 60ns 80ピン FBGA トレイ
フラッシュメモリ
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