RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

ブランド名 Renesas Electronics America Inc
モデル番号 RMLV0408EGSA-4S2#AA1
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価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット SRAM
テクノロジー SRAM 記憶容量 4Mbit
記憶構成 512K X 8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 45ns
アクセス時間 45 ns 電圧 - 供給 2.7V~3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 32TFSOP (0.465", 11.80mm 幅) 供給者のデバイスパッケージ 32-TSOP I
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Part Number Description
RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I
RMLV0408EGSA-4S2#KA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0208BSA-5SI#B1 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESA-5SI#B1 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0208BSA-5SI#S1 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESA-5SI#B1 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESA-5SI#S1 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESA-5SI#S1 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
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R1LP0108ESA-5SR#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
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R1LP0108ESA-7SI#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESA-7SR#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESA-7SR#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESA-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESA-5SI#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
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R1LV0108ESA-5SR#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESA-7SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESA-7SI#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESA-7SR#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0208BSA-5SI#B0 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0208BSA-7SI#B0 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0208BSA-5SI#S0 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0208BSA-7SI#S0 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32STSOP
RMLV0408EGSA-4S2#AA0 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I
RMLV0408EGSA-4S2#KA0 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

仕様

属性 属性値
製造者 レネサス・エレクトロニクス アメリカ
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレイ 代替パッケージ
パッケージケース 32TFSOP (0.465", 11.80mm 幅)
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 2.7V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 32 sTSOP
記憶容量 4M (512K x 8)
メモリタイプ SRAM
スピード 45ns
フォーマットメモリ RAM

記述

SRAMメモリIC 4Mb (512K x 8) パラレル45ns 32-sTSOP