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TH58NVG3S0HTAI0 ICフラッシュ 8GBIT PARALLEL 48TSOP I キオキシア・アメリカ,インク

  • TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc.
ブランド名 Kioxia America, Inc.
モデル番号 オーケストラ・ロバート
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ
テクノロジー フラッシュ-否定論履積（SLC） 記憶容量 8ギガビット
記憶構成 1G×8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 25ns
アクセス時間 25 ns 電圧 - 供給 2.7V~3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 48-TFSOP （0.724"、18.40mmの幅） 供給者のデバイスパッケージ 48-TSOP I
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Part Number Description
TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3ETA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3ETAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0FTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG3S0FTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0FTA20 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG5S0FTA20 IC FLSH 32GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG0S3HTA00 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG0S3HTAI0 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG1S3HTA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG1S3HTAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG2S0HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG2S0HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG0S3HTA00 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG0S3HTAI0 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3HTA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3HTAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG2S3HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG2S3HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG3S0HTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG2S3HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG2S3HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG3S0HTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0HTA20 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0HTAK0 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT 48TSOP I
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

[トシバ]

2GBIT (256M u 8BITS) CMOS ナンド E2PROM

記述

TH58NVG1S3Aは単一の3.3V2Gビット (2,214,592NAND 電動消去可能・プログラム可能な読み取り専用メモリ (NAND E2PROM) (2048+64) バイト×64ページ×2048ブロックに分類.デバイスは,プログラムと読み込みデータを登録とメモリセル配列の間に2112バイトの増幅で転送することを可能にする2112バイトの静的レジスタを持っています消去操作は単一のブロックユニット (128Kbyte + 4Kbyte: 2112バイト x 64ページ) で実行されます.
TH58NVG1S3Aは,アドレスとデータ入力/出力,コマンド入力の両方にI/Oピンを使用するシリアル型メモリデバイスである.消去とプログラム操作は自動的に実行され,固体ファイルストレージなどのアプリケーションに最も適したデバイスになります静止カメラや高密度非揮発性メモリデータストレージを必要とする他のシステムのための画像ファイルメモリ

特徴

• 組織
メモリセル アレイ 2112 u 64K u 8 u 2
登録 2112 u 8
ページサイズ 2112バイト
ブロックサイズ (128K 4K) バイト
• モード
読み取り,リセット,自動ページプログラム
オートブロック消去,ステータス読み取り
• モード制御
シリアル入力 輸出
コマンドコントロール
•電源 VCC 2.7V から 3.6V
プログラム/消去サイクル 1E5サイクル (ECC付き)
• アクセス 時間
セルアレイを最大25μsで記録する
シリアル読み込みサイクル 50 ns min
■ 稼働電流
読み込み (50 ns サイクル) 10 mA typ.
プログラム (平均) 10mAタイプ
消去 (平均) 10mAタイプ
待機状態 50 μA 最大
• パッケージ
TSOP I 48-P-1220-0.50 ((体重:0.53gタイプ.)

仕様

属性 属性値
製造者 トシバ
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレー
パッケージケース 48-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅)
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル/シリアル
電圧供給 2.7V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 48-TSOP I
記憶容量 8G (1G x 8)
メモリタイプ EEPROM - NAND
スピード 25ns
フォーマットメモリ EEPROM - シリアル I/O データ バス

記述

NANDフラッシュ パラレル 3.3V 8Gビット 1G x 8
EEPROM 3.3V, 8Gbit CMOS NAND EEPROM
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC