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IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI,インテグレート・シリコン・ソリューション・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
MTFC16GJUEF-AIT TR IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
MTFC32GAPALNA-AAT IC FLASH 256GBIT MMC 100TBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM |
M29F800FB5AN6E2 IC フラッシュ 8MBIT PARALLEL 48TSOP I アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 エバーグリーン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | RAM |
| テクノロジー: | MRAM (磁気抵抗型RAM) |
FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP フリーモントマイクロデバイスズ株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -、SDR同期 |
W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA ウィンボンド・エレクトロニクス
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |