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71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

  • 71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc
ブランド名 Renesas Electronics America Inc
モデル番号 71V25761S166PFG8
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
支払条件 T/T
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット SRAM
テクノロジー SRAM -、SDR同期 記憶容量 4.5Mbit
記憶構成 128K × 36 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 166 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい -
アクセス時間 3.5 ns 電圧 - 供給 3.135V~3.465V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 100-LQFP 供給者のデバイスパッケージ 100-TQFP （14x20）
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number Description
71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V25761S166PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S166PF IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V25761S166PF8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S166PFI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V25761S166PFI8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S183PF IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S183PF8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S183PFI IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S183PFI8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761YS200PF IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761YS200PF8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V3577YS85PF IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3577YS85PF8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3577YS85PFI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3577YS85PFI8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3578YS133PF IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3578YS133PF8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V3578YS133PFI IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V3578YS133PFI8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V3579S65PF IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3579S65PF8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V632ZS5PF IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V632ZS5PF8 IC SRAM 2MBIT PAR 100TQFP
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

記述

IDT71V256SAは, 32K x 8 として組織された 262,144 ビット高速静的 RAM で,IDTの高性能,高信頼性 CMOS テクノロジーを用いて製造されています.

特徴

• 高性能プロセッサのセカンドキャッシュに最適
• 商業用 (0°~70°C) と産業用 (-40°~85°C)
温度オプション
• 迅速なアクセス時間:
商用: 10/12/15/20ns
産業用: 15n
低待機電流 (最大)
2mA 完全待機状態
• 空間効率の良い配置のための小型パッケージ:
28ピンの300mlSOJ
28ピンの300ミリプラスチックDIP (商業用のみ)
28ピンのTSOPタイプI
• 高性能 CMOS で 製造 さ れ た
テクノロジー
■入力と出力はLVTTL対応
単一の 3.3V (±0.3V) 電源

仕様

属性 属性値
製造者 統合回路システム
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ 71V25761S166
タイプ シンクロン
パッケージ テープ&ロール (TR) 代替包装
単位重量 0.023175オンス
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 100LQFP
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 3.135V~3.465V
供給者 デバイス パッケージ 100TQFP (14x20)
記憶容量 4.5M (128K×36)
メモリタイプ SRAM - 同期
スピード 166MHz
アクセス時間 3.5 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 +70°C
動作温度範囲 0 C
インターフェースタイプ パラレル
組織 128k x 36
供給電流最大 320mA
パート#アリアス 71V25761 IDT71V25761S166PFG8
供給電圧最大 3.465V
供給電圧-分 3.135V
パッケージケース TQFP-100
最大 時計周波数 166 MHz
機能的に互換性のある部品形式 パッケージ 機能互換性のある部品
製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
IDT71V25761S166PFI8
記憶力		 キャッシュ SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V25761S166PFG8 対 IDT71V25761S166PFI8
71V25761S166PFGI
記憶力		 キャッシュ SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQFP-100 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V25761S166PFG8 対 71V25761S166PFGI
IDT71V25761S166PF
記憶力		 キャッシュ SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V25761S166PFG8 対 IDT71V25761S166PF
71V25761S166PFG
記憶力		 TQFP-100,トレイ インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V25761S166PFG8 対 71V25761S166PFG
71V25761S166PF8
記憶力		 キャッシュ SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V25761S166PFG8 対 71V25761S166PF8
IDT71V25761S166PFI
記憶力		 キャッシュ SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V25761S166PFG8 対 IDT71V25761S166PFI

記述

SRAM - 同期メモリIC 4.5Mb (128K x 36) パラレル 166MHz 3.5ns 100-TQFP (14x20)
SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V パイプラインンバースト SRAM
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC