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M29F800FB5AN6E2 IC フラッシュ 8MBIT PARALLEL 48TSOP I アライアンスメモリー,インク

  • M29F800FB5AN6E2 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I Alliance Memory, Inc.
ブランド名 Alliance Memory, Inc.
モデル番号 M29F800FB5AN6E2
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ
テクノロジー フラッシュ- 記憶容量 8Mbit
記憶構成 1M x 8、512K X 16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 55ns
アクセス時間 55 ns 電圧 - 供給 4.5V~5.5V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 48-TFSOP （0.724"、18.40mmの幅） 供給者のデバイスパッケージ 48-TSOP I
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number Description
M29F800FB5AN6E2 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS6C1616-55TIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS7C316098A-10TIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS6C3216A-55TIN IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS6C6416-55TIN IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS29CF800B-55TIN IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS29CF800T-55TIN IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS29CF160B-55TIN IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
AS7C34096B-10TINTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS7C34096B-10TIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS6C8016-55TINTR IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS6C8016-55TIN IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS29CF160T-55TIN IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
AS7C316096A-10TINTR IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS7C316098A-10TINTR IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS6C3216A-55TINTR IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS7C316096A-10TIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS6C6416-55TINTR IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS6C3216-55TIN IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS6C1616-55TINTR IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS6C3216-55TINTR IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS6C1616-55TINLTR IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
AS6C1616-55TINL IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

一般説明

この記述は,特にM29F 16Mb (2 Meg x 8または1 Meg x 16) 非揮発性メモリデバイスに適用されますが,低密度にも適用されます.デバイスは READ,ERASE,単一のシステムを使用する低電圧 (4.5~5.5V) の電源です.電源を入れると,デバイスはデフォルトで読み取りモードに設定され,ROMやEPROMと同じ方法で読み取れます.
デバイスは独立して削除できるブロックに分かれ,古いデータが削除される間に有効なデータが保存されます.各ブロックは,メモリを変更する偶然のプログラムまたはERASE操作を防ぐために独立して保護することができます.. PROGRAM と ERASE コマンドはコマンドインターフェースに書き込まれます.チップ内プログラム/消去コントローラは,メモリコンテンツを更新するために必要な操作を管理することによって,デバイスのプログラミングまたは消去のプロセスを簡素化します.
PROGRAM またはERASE 操作の終了が検出され,エラー条件が特定される.メモリを制御するために必要なコマンドセットは,JEDEC 規格と一致する.

特徴

• 供給電圧
VCC = 5V
• アクセス時間: 55 ns
• プログラム/削除コントローラ
組み込みバイト/ワードプログラムアルゴリズム
• 停止と再起動モードを消す
• 低電力消費
スタンバイと自動スタンバイ
ブロックあたり10万回のプログラム/消去
• 電子署名
製造者コード: 0x01h
• 最上位デバイスコード
M29F200FT: 0x2251
M29F400FT: 0x2223
M29F800FT: 0x22D6
M29F160FT: 0x22D2
• 底部装置のコード
M29F200FB: 0x2257
M29F400FB: 0x22AB
M29F800FB: 0x2258
M29F160FB: 0x22D8
• RoHS に準拠するパッケージ
TSOP48
SO44 (16Mb このパッケージでは利用できません)
• 自動車用装置 3級
温度は40~+125°C
• 自動車用装置 6 級
温度は40〜85°C
自動車用品の認証 (AEC-Q100)

仕様

属性 属性値
製造者 マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレイ 代替パッケージ
パッケージケース 48-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅)
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 4.5V~5.5V
供給者 デバイス パッケージ 48-TSOP
記憶容量 8M (1M x 8,512K x 16)
メモリタイプ FLASH - NOR
スピード 55ns
フォーマットメモリ フラッシュ

記述

FLASH - NOR メモリ IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) パラレル 55ns 48-TSOP
NOR フラッシュ パラレル 5V 8M ビット 1M x 8/512K x 16 55ns オートモーティブ 48ピンTSOPトレイ
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC