IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI,インテグレート・シリコン・ソリューション・インク

ブランド名 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
モデル番号 IS61WV5128BLL-10BLI
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット SRAM
テクノロジー SRAM -非同期 記憶容量 4Mbit
記憶構成 512K X 8 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 - 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 10ns
アクセス時間 10 ns 電圧 - 供給 2.4V | 3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 36-TFBGA 供給者のデバイスパッケージ 36-TFBGA (6x8)
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Part Number Description
IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS62WV2568BLL-55BLI-TR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS62WV2568BLL-55BLI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS61WV5128BLL-10BLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS62WV5128BLL-55BLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS62WV5128BLL-55BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS61LV5128AL-10BI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA
IS61LV5128AL-10BI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA
IS61LV5128AL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA
IS61LV5128AL-10BLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA
IS62WV2568BLL-70BI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS62WV2568BLL-70BI-TR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS62WV5128BLL-55BI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS62WV5128BLL-55BI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS63LV1024L-12BI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA
IS63LV1024L-12BI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA
IS63LV1024L-12BLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA
IS63LV1024L-12BLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA
IS62WV5128DBLL-45BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS62WV5128DBLL-45BLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS62WV5128DBLL-45BI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
IS62WV5128DBLL-45BI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

記述

TheISSIIS61WV102416ALL/BLLとIS64WV102416BLLは,16ビットで1024Kワードを16ビットに分類した高速な16Mビット静的なRAMである.ISSIISの高性能CMOS技術を使用して製造されている.この高度に信頼性の高いプロセスと 革新的な回路設計技術高性能で低消費電力を消費するデバイスを生産します

特徴

高速アクセス時間: 8, 10, 20 ns
• 高性能で低消費のCMOSプロセス
• 騒音 抵抗 を 強化 する ため に 多重 の 中部 電力 と 接地 ピン を 用いる
• CE と OE オプションでメモリを簡単に拡張する
• CE電源停止
• 完全静的操作: 時計やリフレッシュは必要ありません
• TTL に対応する入力と出力
• 単一電源
VDD 1.65V から 2.2V (IS61WV102416ALL)
速度 = VDD 1.65V から 2.2V の 20ns
VDD 2.4Vから3.6V (IS61/64WV102416BLL)
VDD2.4Vから3.6Vの回転 = 10ns
VDD 3.3V + 5% で 8ns
• 提供されているパッケージ:
48ボールのミニBGA (9mm x 11mm)
48ピンTSOP (タイプI)
• 産業用・自動車用温度サポート
• 鉛 の ない 製品
• 上位および下位バイトのデータ制御

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ IS61WV5128BLL
タイプ アシンクロン
パッケージ トレイ 代替パッケージ
単位重量 0.008042オンス
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 36-MBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 2.4V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 36ミニBGA (8x10)
記憶容量 4M (512K x 8)
メモリタイプ SRAM - アシンクロン
スピード 10ns
データ・レート SDR
アクセス時間 10 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 + 85C
動作温度範囲 - 40°C
インターフェースタイプ パラレル
組織 512k x 8
供給電流最大 45mA
供給電圧最大 3.6V
供給電圧-分 2.4V
パッケージケース BGA-36

機能的に互換性のある部品

形式 パッケージ 機能互換性のある部品

製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
IS61WV5128BLL-10BI
記憶力
標準 SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36 統合シリコンソリューション株式会社 IS61WV5128BLL-10BLI 対 IS61WV5128BLL-10BI

記述

SRAM - アシンクロンメモリIC 4Mb (512K x 8) パラレル10ns 36-ミニBGA (8x10)
SRAMチップアシンク シングル 2.5V/3.3V 4Mビット 512K x 8 10ns 36ピンミニBGA
SRAM 4M (512Kx8) 10ns アシンクロ SRAM 3.3v