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IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI,インテグレート・シリコン・ソリューション・インク
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | SRAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SRAM -非同期 | 記憶容量 | 4Mbit |
| 記憶構成 | 512K X 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 10ns |
| アクセス時間 | 10 ns | 電圧 - 供給 | 2.4V | 3.6V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 36-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 36-TFBGA (6x8) |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS61WV5128BLL-10BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV2568BLL-55BLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV2568BLL-55BLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS61WV5128BLL-10BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS61LV5128AL-10BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS61LV5128AL-10BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS61LV5128AL-10BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS61LV5128AL-10BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS62WV2568BLL-70BI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV2568BLL-70BI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS63LV1024L-12BI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS63LV1024L-12BI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS63LV1024L-12BLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS63LV1024L-12BLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA |
製品の説明
製品詳細
記述
TheISSIIS61WV102416ALL/BLLとIS64WV102416BLLは,16ビットで1024Kワードを16ビットに分類した高速な16Mビット静的なRAMである.ISSIISの高性能CMOS技術を使用して製造されている.この高度に信頼性の高いプロセスと 革新的な回路設計技術高性能で低消費電力を消費するデバイスを生産します
特徴
高速アクセス時間: 8, 10, 20 ns• 高性能で低消費のCMOSプロセス
• 騒音 抵抗 を 強化 する ため に 多重 の 中部 電力 と 接地 ピン を 用いる
• CE と OE オプションでメモリを簡単に拡張する
• CE電源停止
• 完全静的操作: 時計やリフレッシュは必要ありません
• TTL に対応する入力と出力
• 単一電源
VDD 1.65V から 2.2V (IS61WV102416ALL)
速度 = VDD 1.65V から 2.2V の 20ns
VDD 2.4Vから3.6V (IS61/64WV102416BLL)
VDD2.4Vから3.6Vの回転 = 10ns
VDD 3.3V + 5% で 8ns
• 提供されているパッケージ:
48ボールのミニBGA (9mm x 11mm)
48ピンTSOP (タイプI)
• 産業用・自動車用温度サポート
• 鉛 の ない 製品
• 上位および下位バイトのデータ制御
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ISSI |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | IS61WV5128BLL |
| タイプ | アシンクロン |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| 単位重量 | 0.008042オンス |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| パッケージケース | 36-MBGA |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 2.4V~3.6V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 36ミニBGA (8x10) |
| 記憶容量 | 4M (512K x 8) |
| メモリタイプ | SRAM - アシンクロン |
| スピード | 10ns |
| データ・レート | SDR |
| アクセス時間 | 10 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | + 85C |
| 動作温度範囲 | - 40°C |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 512k x 8 |
| 供給電流最大 | 45mA |
| 供給電圧最大 | 3.6V |
| 供給電圧-分 | 2.4V |
| パッケージケース | BGA-36 |
機能的に互換性のある部品
形式 パッケージ 機能互換性のある部品
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| IS61WV5128BLL-10BI 記憶力 |
標準 SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36 | 統合シリコンソリューション株式会社 | IS61WV5128BLL-10BLI 対 IS61WV5128BLL-10BI |
記述
SRAM - アシンクロンメモリIC 4Mb (512K x 8) パラレル10ns 36-ミニBGA (8x10)
SRAMチップアシンク シングル 2.5V/3.3V 4Mビット 512K x 8 10ns 36ピンミニBGA
SRAM 4M (512Kx8) 10ns アシンクロ SRAM 3.3v
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