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MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 エバーグリーン・テクノロジーズ
| ブランド名 | Everspin Technologies Inc. |
|---|---|
| モデル番号 | MR4A16BYS35 |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | RAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | MRAM (磁気抵抗型RAM) | 記憶容量 | 16Mbit |
| 記憶構成 | 1M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 35ns |
| アクセス時間 | 35 ns | 電圧 - 供給 | 3V~3.6V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 54-TSOP （0.400"、10.16mmの幅） | 供給者のデバイスパッケージ | 54-TSOP2 |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| NDS66PT5-16IT TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS36PT5-16IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BYS35 | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16ACYS35 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| NDS36PT5-20ET TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS76PT5-16IT TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS76PT5-20IT TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS36PT5-16ET TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BCYS35R | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| NDS66PT5-16ET TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BCYS35 | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16ACYS35 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AYS35R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AYS35 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16ACYS35R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR4A16BYS35R | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AUYS45R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AUYS45 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AYS35R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AYS35 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16ACYS35R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AUYS45R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AUYS45 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 |
製品の説明
製品詳細
MR3 反射ランプ組
MR4 反射ランプ組
MR6 反射ランプ組
調整可能な焦点反射器組
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | エヴァースピン |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | MR4A16B |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| パッケージケース | 54-TSOP (0.400", 10.16mm 幅) |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 3V~3.6V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 54-TSOP2 |
| 記憶容量 | 16M (1M x 16) |
| メモリタイプ | MRAM (磁気抵抗型RAM) |
| スピード | 35ns |
| アクセス時間 | 35 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | +70°C |
| 動作温度範囲 | 0 C |
| 稼働供給電流 | 110 mA |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 1 M × 16 |
| データバスの幅 | 16ビット |
| 供給電圧最大 | 3.6V |
| 供給電圧-分 | 3V |
| パッケージケース | TSOP-54 |
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| MR4A16BYS35R 記憶力 |
メモリー回路,1MX16,CMOS,PDSO54,TSOP2-54 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR4A16BYS35 vs MR4A16BYS35R |
| MR4A16BCYS35R 記憶力 |
メモリー回路,1MX16,CMOS,PDSO54,TSOP2-54 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR4A16BYS35 対 MR4A16BCYS35R |
| MR4A16BMYS35R 記憶力 |
メモリ回路,1MX16,CMOS,PDSO54,ROHSコンプライアント,MS-024,TSOP2-54 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR4A16BYS35 対 MR4A16BMYS35R |
| MR4A16BMYS35 記憶力 |
メモリ回路,1MX16,CMOS,PDSO54,ROHSコンプライアント,MS-024,TSOP2-54 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR4A16BYS35対MR4A16BMYS35 |
| MR4A16BCYS35 記憶力 |
メモリー回路,1MX16,CMOS,PDSO54,TSOP2-54 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR4A16BYS35対MR4A16BCYS35 |
記述
MRAM (磁気抵抗型RAM) メモリIC 16Mb (1M x 16) パラレル35ns 54-TSOP2
MRAM 16Mbit パラレル 3.3V 54ピンのTSOPトレイ
NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 パラレルMRAM
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