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AT28HC256-90DM/883 IC EEPROM 256KBIT PAR 28CERDIP マイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
TC58BVG0S3HBAI4 ICフラッシュ 1GBIT PARALLEL 63TFBGA キオキシア・アメリカ,インク
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積（SLC） |
R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM |
IS21ES04G-JCLI IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積（MLC） |
CY7C0852V-133AXI IC SRAM 4.5MBIT PAR 176TQFPサイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,同期 |
MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR3 |
71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - 同期、SDR (ZBT) |